一、DIAMOND HETEROEPITAXY-NUCLEATION, INTERFACE STRUCTURE, FILM GROWTH（论文文献综述）
王杨[1]（2021）在《硅衬底/铱/外延金刚石的第一性原理计算及实验研究》文中认为金刚石因其极佳的物理化学性质,可应用于各种高端的科技领域,单晶金刚石,特别是大尺寸、高质量的单晶电子级金刚石,更是由于结构完整、纯度高、缺陷密度低而备受关注。这样的金刚石单晶片需要使用化学气相沉积方法制备,同质外延和异质外延是两种不同的实现途径,其不同点在于生长金刚石所用的衬底。同质外延以高温高压法制备的金刚石单晶片作为衬底,而异质外延则以非金刚石材料作为金刚石生长的衬底材料。选择合适的衬底是金刚石异质外延生长的首要步骤,一般认为在Ir（100）上生长的金刚石具有最高的质量,但是对于该现象的解释,以及对金刚石外延生长过程和机理的描述还不够完整。另外,Ir（100）薄膜仍然要生长于其他底层衬底之上,考虑到衬底面积的扩展、热膨胀系数的匹配等理论与技术因素,需要对衬底的结构进行设计,以及了解衬底各层之间界面的相互作用与结合能力。本文即从这几个方面对金刚石在铱薄膜上异质外延生长的过程和机理进行了研究,总体上分为模拟和实验两大部分。模拟部分主要利用基于密度泛函理论的CASTEP程序（集成于Materials Studio 2017软件）进行,另外对于生长动力学过程的描述使用了分子动力学模块Forcite。实验部分主要包括金刚石异质外延生长衬底的制备和金刚石在Ir（100）上的形核与生长。本文首先给出了设计金刚石生长衬底时需要考虑的因素,包括理论因素与技术因素,从而设计出Si（100）/TiN（100）/MgO（100）/Ir（100）的适合金刚石异质外延生长的衬底结构。本文中对MgO（100）衬底上生长Ir（100）薄膜的过程进行了模拟,从一次形成能和分步形成能两个角度对生长过程的能量进行了计算,结果表明适当提高沉积速率可以提高Ir（100）薄膜的生长质量。为了扩大金刚石异质外延衬底的面积,可以使用Si作为最底层衬底,因此涉及到Si/TiN、Si/TiN/MgO等薄膜之间的相互作用过程,本文同样对这些衬底之间的结合和化学键作用进行了描述,对TiN过渡层所起到的粘接作用机理进行了解释。之后,根据吸附和脱附两个模型,从能量的角度对于C原子在Ir（100）上的溶解-析出过程进行了研究,并与C原子和Ni、Cu等之间的相互作用和能量变化进行对比,进而对Ir功能层的唯一性进行了说明,从可行性和实现性两个维度,对金刚石异质外延衬底进行评价。计算结果表明,自由吸附过程结束后,C原子位于Ir薄膜表面之上的结构是稳定状态,而如果C原子从Ir功能层亚表面析出,则在亚表面接近表面的位置有一个亚稳定的过渡态结构。因此,在C原子浅注入于Ir功能层亚表面的过程中,在C原子浓度较低时,C原子将停留于亚稳定位置;而升高C原子浓度,C原子会最终析出并在Ir表面上方稳定。这样的溶解-析出过程可以持续进行,并有利于最初的金刚石晶核的形成,以及为金刚石初级晶核的位置和取向微调提供能量,使初级晶核可以聚集生长,并达到相近的取向。金刚石生长是生长室内的各种粒子与衬底之间的相互作用,本文对生长的动力学过程进行了模拟,并对Ir（100）/金刚石界面之间的化学键和微观应力进行了分析。形核过程中,可以通过衬底施加负偏压提高金刚石形核密度,本文认为偏压增强形核（BEN）法的主要机理是C原子浅注入于Ir功能层的亚表面,并以此为基础,计算了偏压范围,能够与实验结果很好地符合。当C原子浓度增加时,对C原子析出和初级晶核形成的过程进行了解释。在金刚石生长过程,给出了金刚石在Ir（100）的生长过程中的能量和构型变化,并认为在生长过程中,应控制碳源浓度,使得晶核与晶核间间隙尺寸相当,有利于晶核后续的连接。同时,形成的晶核取向一致性良好,晶粒之间夹角较小（<4°）时,可以形成取向一致生长。本文利用脉冲激光沉积方法制备了Si/TiN/MgO叠层,为衬底尺寸扩大提供了可能,其中提出了薄膜制备过程的技术参数之间的协同作用等理论。在MgO单晶片上利用电子束蒸镀方法外延了高质量、表面原子级平滑的Ir（100）薄膜,并继续利用微波等离子体辅助化学气相沉积系统进行了金刚石的形核和生长。在金刚石生长过程中,可以观察到晶核的形成与聚集、晶界的连接等过程,很好地支持了模拟结果,证明了Ir功能层对金刚石外延生长的有益作用,对金刚石异质外延生长过程进行了完整的描述,指导了外延过程中技术参数的选择。同时,提出了外延可互换性的概念,并在金刚石衬底上外延了Ir（100）薄膜,为后续异质外延辅助同质形核、衬底图形化等应用提供了研究基础。
赵正平[2]（2021）在《超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展》文中研究表明以SiC/GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,超宽禁带半导体金刚石功率电子学将有可能成为下一代固态功率电子学的代表,受到研究人员的广泛关注。介绍了金刚石功率电子学的最新进展,如金刚石单晶、金刚石化学气相沉积同质和异质单晶外延、金刚石多晶外延、金刚石二极管、金刚石MOSFET、金刚石结型场效应晶体管、金刚石双极结型晶体管、金刚石逻辑电路、金刚石射频场效应晶体管和金刚石上GaN HEMT等。还介绍了金刚石材料的大尺寸、低缺陷和p型及n型掺杂等制备技术,金刚石新器件结构设计,金刚石新器件工艺,转移掺杂H端-金刚石沟道和金刚石/GaN界面热阻等研究成果。分析了金刚石功率电子学的发展由来、关键技术突破和发展态势。
贾鑫[3]（2020）在《GaN基金刚石散热层的制备及其性能研究》文中提出随着氮化镓（GaN）基功率器件功率越来越高,器件的“自热效应”愈加明显,对高频高功率电子器件散热提出了迫切需求。采用CVD金刚石代替传统衬底材料可以有效满足高频高功率器件散热需求,有效提升器件性能、器件寿命与可靠性。但GaN外延层沉积金刚石膜存在GaN外延层稳定性差、热失配大及应力累积导致外延层开裂等技术难题。此外,影响GaN/金刚石界面热传输的科学问题尚未明确,限制了金刚石衬底GaN基功率器件的进一步发展。本文研究在高温氢等离子体环境中GaN/保护层表面上进行金刚石的稳定形核与生长,基于静电增强自吸附效应及双金刚石层方法制备了低应力金刚石/GaN复合结构材料,研究了影响GaN与金刚石界面热传输机制,测量了金刚石/GaN的界面热阻。研究了高温氢等离子体对GaN外延层诱导分解机制及抑制分解途径,氢等离子体和温度分别是GaN分解的诱因和驱动力,因此,高温氢等离子体环境中GaN外延层的稳定性极差,在GaN表面添加保护层和提高氢等离子体中氮分压能有效抑制氢等离子体渗透,采用磁控溅射技术沉积低粗糙度致密无孔洞的非晶态SiNx和AlN保护层。研究了微波化学气相沉积方法在GaN/保护层表面沉积金刚石膜的规律,以甲烷浓度12%,沉积温度800℃时能够形成致密金刚石膜进一步抗氢等离子体渗透,基于GaN/保护层与纳米金刚石粉的静电增强自吸附效应,实现了纳米金刚石粒子高密度分散在衬底上,最终在GaN/保护层表面快速获得高度致密金刚石形核层,有效提升界面结合强度和金刚石形核层质量。根据界面热传输理论探究了界面微观结构和声子态密度失配度及保护层材料与界面热传输的相关性,提出了保护层材料选择与界面处声子态密度匹配度是影响界面热传输的重要因素,提高保护层粗糙度可以增加界面有效接触面积,实现界面热传输能力进一步提升,获得GaN/金刚石界面热阻为35.5±5.2m2K/GW。提出一种双金刚石层制备金刚石衬底GaN晶圆的方法,成功制备了低应力低界面热阻的GaN/金刚石结构,且GaN外延层转移前后晶体质量未见明显降低。霍尔测试结果显示,采用两步法金刚石工艺参数:形核阶段,甲烷浓度为12%,形核温度为800℃,形核5min后,生长阶段以甲烷浓度为5%,沉积温度为850℃时,金刚石衬底GaN外延层电子迁移率衰减最少,衰减约14%。
吴耀政[4]（2020）在《GaN基材料的分子束外延及其发光器件的制备与表征》文中研究指明作为宽禁带直接带隙半导体,Ⅲ族氮化物材料体系的禁带宽度覆盖了从紫外光波段到可见波段再到近红外波段,广泛应用于固态照明器件及紫外光电子器件之中。GaN基LEDs在节能减排、环境保护等方面相比于传统照明光源有着巨大的优势。经过几十年的发展,得益于材料质量的不断提高和新型器件结构的设计,LED的发光效率得到不断地提高,被广泛应用于照明、背光源等领域。然而,如何提高长波长GaN基LEDs的发光效率,并将其应用于高分辨显示、可见光通讯等领域中,仍旧是科研工作者关注的前沿问题之一。本文采用分子束外延技术,围绕提高长波长LEDs的发光效率,尝试采用“自下而上”和“自上而下”两种方法制备微型LEDs结构和InGaN/GaN多量子阱纳米柱结构,研究了其材料外延生长机制和器件的光电特性。得到了如下结论:1.针对MBE外延GaN界面处位错难于控制这一问题,本文研究了表面Ga原子层控制、N等离子体辅助热分解以及N等离子体循环刻蚀等技术。研究结果表明:表面Ga原子层控制技术的引入,精确控制了外延过程中样品衬底表面金属原子层的厚度;N等离子体辅助热分解技术的研究,有效解决了样品衬底表面氧化层的存在;N等离子体循环刻蚀技术的探索,成功抑制了外延界面处不良微结构的产生。借助于RHEED以及TEM等表征手段证实了采用上述技术路线在自支撑GaN衬底上制备的同质GaN外延薄膜的位错密度可以降低至5×105 cm-2。2.针对绿光LED器件的发光效率低的问题,本文利用PA-MBE技术在绿光LED外延片上外延出具有n++/n+结构的GaN外延层,从而与LEDs外延片顶部p+-GaN形成p+/n++/n+结构的隧道结。利用MBE对外延层界面控制的优势以及通过对GaN外延层的重掺(≈1020/cm3)有效降低了隧道长度,提高了正向小偏压下载流子的带间隧穿概率。与传统结构的Micro-LEDs相比,隧道结的引入不仅简化了器件的制备工艺,而且还提高了器件的发光效率。在注入电流密度为32A/cm2时,隧道结Micro-LEDs和传统结构的Micro-LEDs的Droop衰减比率分别为75%和53%。3.采用PA-MBE技术在Si（111）衬底上采用Al N成核层进行自组装GaN纳米柱的生长,以及GaN纳米柱基长波长InGaN/GaN多量子阱结构的外延生长。提出采用高温退火氮化技术对低温沉积的金属Al进行处理来抑制GaN纳米柱底部寄生GaN的生长;分析并提出了该生长条件下Ga吸附原子的运动扩散模型;探索了生长温度及Ga/N比对自组装GaN纳米柱形貌的影响;通过控制不同量子阱的生长温度,实现波长在橙、红光范围的长波长复合光InGaN/GaN纳米柱多量子阱结构的制备。
余建刚[5]（2020）在《氧化镓基光电探测器的制备及其性能研究》文中认为由于臭氧层对200～280 nm波段紫外辐射的完全吸收,此波段在大气层中几乎不存在,因此我们称之为“日盲”波段。基于此波段的紫外探测器由于具有背景噪声低和虚警率低等优点,其在紫外制导、紫外空间预警和导弹预警等军事领域和在高响应火灾预警、电晕检测、大气环境监测等民生领域有着广泛的应用前景,并受到研究者的广泛关注。在众多宽带隙半导体中,β-Ga2O3作为一种新型超宽禁带半导体材料,其独特的化学和物理特性、较宽的带隙（～4.9 e V）以及低廉和简单的制备工艺等优点,是制备日盲紫外光电探测器的天然最佳候选材料。近年来,尽管基于β-Ga2O3基光电探测器的研究已取得很大进展,但受困于较差的外延β-Ga2O3质量以及比较单一的器件结构,使探测器具有较低的光谱响应度和较慢的光谱响应速度,从而不能满足商业化的需求。因此,基于高质量的外延β-Ga2O3薄膜实现高响应、高灵敏性的探测器仍需要不断努力。基于上述研究背景,本文开展了高质量外延β-Ga2O3薄膜的工艺优化和基于β-Ga2O3薄膜的高性能日盲紫外光电探测器的研究,从改善外延β-Ga2O3薄膜质量、优化器件结构和修饰器件表面三个方面入手,期望能够实现高结晶度、低氧空位等缺陷的β-Ga2O3薄膜材料,以及高响应、高灵敏性的β-Ga2O3基紫外光电探测器。论文的主要研究内容和主要结论如下:1)基于脉冲激光沉积技术（PLD）对蓝宝石衬底外延β-Ga2O3薄膜及后续薄膜质量的改善工艺进行优化。系统地研究了衬底温度、退火温度和退火环境对β-Ga2O3结晶质量、表面形貌和光学带隙的影响。研究结果表明:适当增加衬底温度,可以为沉积粒子在衬底表面迁移提供足够的能量,使β-Ga2O3薄膜从非晶态转变为多取向的纳米晶态。在高温下退火,有利于薄膜二次结晶,使β-Ga2O3薄膜从纳米晶态转变为高结晶的单晶态。但退火温度高于900°C时,会引起衬底中Al原子向β-Ga2O3薄膜中扩散,导致薄膜光学带隙变大,同时大部分氧原子的逸出,导致β-Ga2O3薄膜中氧空位浓度增加以及更多的Ga3+转化为Ga1+,使β-Ga2O3晶体结构受到破坏。在氧气中退火,氧原子的补偿使β-Ga2O3中的氧空位浓度得到降低和表面粗糙度得到改善,但间隙氧原子的引入造成光学带隙变小。在氮气中退火,氮元素的掺杂促使β-Ga2O3的晶粒增大和薄膜结晶质量提升,但较大的晶粒引起表面粗糙度增大。在空气中退火,受空气中杂质的影响,会产生更多的OH-,从而引起β-Ga2O3中氧空位等缺陷增加。综上所述可知,外延高结晶度、低氧空位浓度β-Ga2O3薄膜的优化工艺为:600°C的衬底温度并在氧气氛围和800°C下退火。2)基于工艺优化的β-Ga2O3薄膜研制了β-Ga2O3基MSM型日盲紫外光电探测器。在15 V的偏压下,探测器的光暗比达到699.6,光谱响应速度达到0.64 s/1.12 s以及光谱响应度达到6.03A/W。证明了优化β-Ga2O3中的氧空位浓度,可以有效提高探测器的性能。为了进一步降低探测器暗电流,论文提出了具有非对称电极几何结构的MSM型（a-MSM）探测器。在光照下,非对称肖特基势垒的存在,使β-Ga2O3基a-MSM型探测器表现出自供电特性。在0 V偏压下,a-MSM型探测器的光谱响应度达到0.487 A/W,探测率达到6.13×1010 Jones;在-15 V的偏压下,暗电流达到21.9 n A,降低为原来的10.4%,但其光谱响应度降低为原来的58.5%。为了进一步优化a-MSM型探测器的光谱响应度,论文引入金属Pt纳米颗粒修饰β-Ga2O3基a-MSM型探测器表面。在光照射下,金属Pt纳米颗粒产生局域表面等离激元效应即增强了光的吸收、提高器件的光电特性。在0 V偏压下,Pt NPs@β-Ga2O3基a-MSM型探测器的光谱响应度达到1.532 A/W,探测率达到2.18×1011 Jones,与原器件相比较分别提高315%和354%。证明了非对称电极与金属Pt纳米颗粒的协同作用是提高光电探测器光电特性的一种有效方法。3)针对β-Ga2O3由于较低导热率产生自热效应影响器件性能的问题,论文选择具有优良导热性能的p型4H-Si C为衬底,并通过引入(AlxGa1-x)2O3缓冲层,降低衬底与外延β-Ga2O3界面间的缺陷密度,成功制备了β-Ga2O3/4H-Si C p-n异质结自驱动紫外光电探测器。在0 V偏压下,探测器的光暗比超过103,光谱响应度达到10.35m A/W,同时探测器的光谱响应速度提升至毫秒级,探测器性能指标已优于同类结构的其它探测器。4)针对β-Ga2O3基异质结界面氧空位产生大量界面态,恶化器件性能的问题,论文选择p型氧化物NiO,使NiO中的O补偿界面处的氧空位,减少界面缺陷,论文成功制备了β-Ga2O3/NiO全氧化物异质结自驱动紫外光电探测器。在0 V偏压下,探测器的光谱响应度、探测率和光谱响应速度分别达到了0.245 m A/W、1.8×108 Jones和12 ms/8 ms。为了进一步优化该异质结探测器性能,论文引入金属Pt纳米颗粒对异质结探测器表面进行修饰。在0 V偏压下,探测器的光谱响应度、探测率和光谱响应速度分别达到4.27 m A/W、4.23×109Jones和4.6 ms/7.6 ms。证明了Pt纳米颗粒在提高β-Ga2O3基异质结探测器光电性能方面的重要应用。
刘庆[6]（2020）在《金属氧化物半导体光电探测器新结构研究》文中进行了进一步梳理近年来,日盲紫外探测器在民用和军事应用中受到了广泛关注,如导弹跟踪、短距离安全通信和臭氧层空洞检测。宽禁带半导体材料适合制造日盲紫外探测器。其中,β-Ga2O3的带隙约4.9 eV,具有高化学稳定性、高机械强度和高击穿电场等优势,被认为是光电器件理想的候选者。但是,制造高响应度和高探测率的基于β-Ga2O3的紫外探测器仍在薄膜外延生长方面存在严峻挑战。此外,衬底的选择对于氧化镓薄膜的异质外延生长起着重要的作用。为了获得高质量的β-Ga2O3薄膜以及高响应度和高探测率的紫外探测器,本文采用等离子体辅助分子束外延技术,在c面蓝宝石基片表面沉积了Sn掺β-Ga2O3薄膜（以下简写为Sn:β-Ga2O3）,研究了Sn:β-Ga2O3的紫外光电探测器性能,并对比研究了不同单晶基片取向对所沉积β-Ga2O3薄膜光电响应特性的差异。具体研究结果如下:（1）因Sn:β-Ga2O3的良好电导特性,基于Sn:β-Ga2O3薄膜的金属-半导体-金属（metal-semiconductor-metal,MSM）光电探测器具有更优异的光电响应特性,不仅具有较高的光电流和响应度,其综合性能参数探测率指标也比较高,但由掺杂导致材料质量的下降,器件的响应时间特性变得很差,具有比较严重的持续光电导效应,其下降时间常数达到4.2秒。为了改善响应时间特性,本论文由Sn:β-Ga2O3与非故意掺杂β-Ga2O3（以下简写为β-Ga2O3）构筑了多层膜结构,研究结果表明:基于多层膜的MSM光电探测器,虽然其探测率有所下降,但光暗电流比获得了极大提升,与基于Sn:β-Ga2O3薄膜的MSM光电探测器相比,基于β-Ga2O3/Sn:β-Ga2O3/β-Ga2O3三明治结构的光电探测器,其光暗电流比由901提高到3080,最为重要的是:其下降时间常数由4.2秒减小到0.7秒,其持续光电导效应得到了有效抑制,综合光暗电流比、探测率和响应时间特性参数,β-Ga2O3/Sn:β-Ga2O3/β-Ga2O3三明治结构更适合光电探测器的研制。（2）论文对比研究了c面和r面蓝宝石生长的β-Ga2O3薄膜微观结构和光电响应特性,研究结果表明:在c面蓝宝石生长的β-Ga2O3薄膜为（<sub>201）面取向,而在r面蓝宝石生长的β-Ga2O3薄膜具有两种结晶取向,由（100）面平行于基片表面的β-Ga2O3晶粒和（001）面平行于基片表面的β-Ga2O3晶粒共同组成。与c面蓝宝石生长的β-Ga2O3薄膜相比,虽然,r面蓝宝石生长β-Ga2O3薄膜的结晶取向并不单一,但具有更好的光电探测性能,响应度和探测率分别为170.2 A/W和1.34×1014 Jones,几乎是c面蓝宝石所生长薄膜光电探测器性能指标的两倍,采用r面蓝宝石生长的β-Ga2O3薄膜也是日盲紫外探测器研制的候选材料。
仇成功[7]（2019）在《Si衬底上MOCVD法外延高质量GaN薄膜的生长研究》文中进行了进一步梳理GaN材料具有宽禁带,高熔点,高电子迁移率,高击穿场强以及高热导率等优越特性,广泛应用于发光器件（LED）、太阳能电池、高电子迁移率晶体管以及射频器件等领域。目前外延GaN薄膜基本上都是采用MOCVD法进行异质外延生长,通常商用的异质外延衬底为蓝宝石和Si C。采用Si衬底外延GaN薄膜器件相比以上两种衬底,具有成本低、大尺寸、导热性好等优点。但是在Si衬底外延GaN薄膜也存在一些问题,例如大的晶格失配导致缺陷的产生,大的热膨胀系数失配致使GaN薄膜表面产生裂纹以及Si和Ga容易发生化学反应生成合金蚀刻衬底以及整个外延层等问题。本文将系统地分析并讨论了在Si衬底上采用MOCVD法外延GaN薄膜的生长工艺过程,主要研究内容如下:（1）研究了预铺Al时的TMAl的最佳预流量,结果表明:预铺Al的TMAl的流量为59.5 sccm为最佳流量,可防止非晶体SixNy的形成以及GaN薄膜表面出现回融蚀刻现象。（2）研究了AlN缓冲层的生长压力、温度以及厚度对GaN外延层的影响,结果表明:在生长压力为50 mbar、温度为1100℃以及生长厚度为160 nm的AlN缓冲层,获得GaN薄膜质量最佳。（3）采用LT/HT＿AlN双缓冲层上外延生长GaN薄膜,结果表明:插入LT＿AlN层的温度为1000℃,厚度为20 nm时,可以在一定程度上减少GaN薄膜表面的裂纹,提高GaN的结晶质量。（4）采用插入阶梯式AlxGa1-xN应力释放层,结果表明:该插入层可提高GaN的结晶质量,减少GaN薄膜表面的裂纹,改善GaN薄膜表面形貌。我们对插入AlxGa1-xN层的Al组分进行了优化,并得出了最优的低Al组分阶梯式生长结构。
董林鹏[8]（2019）在《氧化镓材料特性及光电探测器研究》文中认为超宽禁带氧化物半导体β-Ga2O3由于材料本身优良的物理化学特性,以及低廉方便的制备工艺,目前已经被广泛应用于高功率电力电子器件、能源催化、气敏传感器、以及光电器件等方面的研究。本文围绕β-Ga2O3材料的基本特性以及目前存在的问题,从理论计算和实验两方面对β-Ga2O3材料普遍存在的氧空位以及氮掺杂进行了初步研究;此外采用磁控溅射法和脉冲激光沉积法制备了β-Ga2O3薄膜,对薄膜的生长条件进行了优化;最后研究了β-Ga2O3在日盲光电探测器方面的应用。本文的研究内容,结果和主要结论如下:1)基于密度泛函理论（Density Functional Theory,DFT）,采用DFT+U的计算方法,通过调整参数Hubbard U值,得到了与实验结果一致的合理的禁带宽度值（4.9eV）。基于此方法,本文对β-Ga2O3中容易出现的氧空位进行了系统地研究,计算了氧空位缺陷的形成能,缺陷转变能级,以及对β-Ga2O3能带结构和光学性质的影响。计算得到在绝对零度时,在O-rich和O-poor气氛条件下三种氧空位的形成能均为负值,因此氧空位在β-Ga2O3中极易出现。三种空位的热力学缺陷转变能级ε（+2/0）距价带顶的距离分别为3.2,3.7和3.9 eV,距离导带底均大于1.0 eV,因此氧空位在β-Ga2O3中作为深能级施主杂质存在。当氧空位出现时,由于杂质能级的影响,静态介电常数ε0的值略微有所减小,材料在可见光区域的吸收作用增强,吸收系数变大。对于V0OI,V0OII和V0OIII,新的吸收峰中心分别位于3.80,3.52和3.37 eV处。2)采用DFT+U方法研究了目前实现β-Ga2O3 p型掺杂最有潜力的掺杂剂氮,以及存在本征缺陷时对氮掺杂β-Ga2O3材料特性的影响。对于氮掺杂β-Ga2O3,能带计算结果表明氮杂质在距离价带顶1.33 eV处引入了深受主杂质能级,并且氮杂质掺杂由于较高的形成能导致其溶解度较低,因此不能作为β-Ga2O3的有效p型掺杂剂。在Ga-rich的条件下本征缺陷氧空位和镓间隙原子在氮掺杂的β-Ga2O3的形成能较低,因此在氮掺杂的β-Ga2O3中容易出现。能带结构,态密度以及差分电荷密度分布表明,氧空位和镓间隙原子缺陷容易使氮掺杂β-Ga2O3向n型导电转变。此外,NGa2O3,NGa2O3VO,和NGa2O3Gai的热力学杂质转变能级ε（0/-1）分别为3.37,3.34,和5.27 eV。氧空位和镓间隙原子缺陷会使得掺杂的氮原子更加难以电离,从而降低氮作为受主杂质的效率。最后我们对含本征缺陷的氮掺杂β-Ga2O3结构的吸收系数与入射光子能量间的函数关系进行了讨论。3)研究了磁控溅射法制备Ga2O3薄膜过程中氧气浓度,以及后续退火温度对氧化镓薄膜的生长速度、结晶质量、表面形貌、以及光学性质的影响。X射线衍射（X-Ray Diffraction,XRD）、扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope,SEM）、原子力显微镜（Atomic Force Microscope,AFM）以及拉曼（Raman）光谱测试结果表明,当薄膜淀积过程中引入浓度为1%的氧气并且经过1000°C 1小时高温退火后,氧化镓薄膜具有最优的结晶质量。相比于直接生长的薄膜N-N,通入1%氧气后的薄膜的光学性质明显改善,在紫外-可见光范围内具有最高的光学透过性。通过对吸收系数谱进行Tauc拟合,样品N-N,N-T1000和O1-T1000的光学禁带宽度分别为4.70,4.80和4.87 eV。X射线光电子能谱（X-Ray Photoelectron Spectroscopy,XPS）和光致发光谱（Photoluminescence,PL）测试表明,在薄膜生长过程中通入氧气,可以有效抑制β-Ga2O3中容易出现的氧空位,减弱与氧空位相关的PL发光峰强度。这些实验结果也与DFT的计算结果高度一致。4)采用PLD方法在4H-SiC衬底上制备了β-Ga2O3/SiC异质结,对薄膜的生长温度及退火温度进行了简要研究,并对基于β-Ga2O3/SiC异质结的日盲光电探测器的光电特性进行了表征分析。制备的光电探测器H800,H900,和H1000均表现出了良好的日盲特性。H1000由于具有均匀致密的β-Ga2O3薄膜以及优异的界面质量,器件的暗态漏电流最小,开关比值最大。在254 nm波长光照下,探测器H1000的光/暗电流比,响应度（Responsivity,）,外量子效率（External Quantum Efficiency,EQE）,探测率（Detectivity,D*）,线性动态范围（Linear Dynamic Range,LDR）分别为384.6,67.83 mA/W,33.1%,82.3×1010 Jones,51.7 dB。H1000表现出良好的开关特性,上升/下降时间常数分别为0.18和0.31 s。通过XPS测试结果分析了β-Ga2O3/SiC异质结的能带带阶和能带图,并通过能带图对异质结光电探测器的工作机理进行了分析。5)研究了基于β-Ga2O3单晶的金属-半导体-金属（Metal-Semiconductor-Metal,MSM）型自供电日盲光电探测器,器件的自供电特性通过一步式淀积的结构不对称的叉指电极来实现。制备的探测器R1,R2,R3,R4,R5均表现出良好的日盲特性,且自供电特性随着电极结构不对称性的提高而增强。对于电极结构对称性最弱的探测器R5,器件在零偏压下表现出良好的开关特性和稳定性,上升/下降时间常数分别为0.03和0.08 s。254 nm波长光照下,R5的光电流为0.16 nA,R?,EQE,D*,以及LDR分别为1.28 mA/W,0.63%,17.7×1010 Jones,23.5 dB。最后我们通过能带图对探测器的自供电特性进行了解释,究其原因可以归结于MSM结构两侧电极下不同数量的表面缺陷所引起的有效肖特基势垒高度间的差异。
翁瑶[9]（2019）在《Si（110）衬底上AlN薄膜的激光分子束外延法制备及其光电性能研究》文中进行了进一步梳理AlN薄膜以其优异的性能在光电子和微电子领域具有广泛的应用前景。单晶Si已经大规模应用于微电子领域,相比于Si（111）和Si（100）晶面,Si（110）晶面与AlN之间存在更小的晶格失配与热失配。所以在Si（110）衬底上外延生长AlN薄膜可以降低薄膜的缺陷密度,提高其结晶质量。本论文采用激光分子束外延法在Si（110）衬底上制备AlN薄膜,研究了不同工艺参数对AlN薄膜的结晶质量、表面形貌、光学性能和电学性能的影响,主要研究结果如下:1)在Si（110）衬底上直接制备出了呈（200）面单一择优取向的立方闪锌矿结构的AlN薄膜,薄膜与衬底的取向关系为AlN（100）//Si（110）。由于Si（110）衬底与立方AlN薄膜之间的晶格失配较大,薄膜中存在失配应力。制备高质量立方AlN薄膜的较优工艺参数是:衬底温度为750℃、氮气分压为0.5Pa、激光频率为8 Hz。AlN/Si（110）的界面清晰平滑,AlN薄膜在靠近衬底一侧存在厚度约为67 nm的应变层。2)不同工艺条件下制备的立方AlN薄膜在可见光区域的反射率大约为45%,在波长约为260 nm左右存在一个非常明显的吸收峰。基于立方AlN薄膜的反射光谱,得到了不同工艺条件下制备的立方AlN薄膜的禁带宽度,其值随晶格畸变量的增加而降低。3)立方AlN薄膜的PL光谱都分别在波长为420 nm处的蓝光区和500nm处的绿光区有两个发光峰,对应的能量分别是～2.95 eV和～2.48 eV。薄膜在420nm蓝光区的发光峰是由VN从浅能级向ON-VAI（Al空位）深能级辐射跃迁产生的,绿光区500 nm左右的发光峰是由VAl和价带之间的辐射复合产生的。4)采用激光分子束外延法制备出的立方AlN薄膜为p型半导体。AlN/Si（110）p-n结有很好的整流特性,对I-V曲线进行log-log拟合发现,p-n结的电流传输机制符合空间电荷限制传导机制。5)AlN/Si（110）p-n结的EL光谱结果表明,薄膜在波长为500 nm～600 nm范围内有黄绿光发射,发光最强中心为531 nm,相应的复合能量为E=2.34eV。随着电流的增加,发光强度也随之增强。当正向电流为32mA时,异质结的发光强度最强。
沈洋[10]（2019）在《金刚石薄膜及异质结的生长与性质研究》文中研究指明金刚石材料因其具有较宽的带隙、高载流子迁移率以及高击穿电压等优异的性能,被科学家誉为“终极半导体材料”,广泛地应用于高功率器件、辐射探测器及日盲紫外探测器等领域。另一方面,随着量子调控技术的不断发展,基于金刚石氮空位色心（Nitrogen-vacancy center,NV center）的固态单光子源,由于在室温下具有稳定性好、退相干时间长、量子态可读取等特性,将其与光学微腔或其他高品质因子的半导体微纳结构形成复合耦合系统后,可以建造更高品质的量子密钥分配系统,因此已成为固态量子信息研究领域的研究热点。同时,将P型金刚石薄膜与其他n型宽禁带半导体结合构成异质pn结,在高温及高功率电子器件领域的应用也具有较高的研究价值。本论文主要以实验合成为主,辅之以基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了不同生长参数对金刚石薄膜外延质量的影响、不同浓度的氮气以及氧气对金刚石NV色心的调控规律、大尺寸ZnO基纳米金刚石的制备与表征以及一维纳米ZnO/碳纳米管（CNT）核壳结构的电学与光学性质等。研究成果主要包括:1.采用微波等离子体化学气相沉积方法成功合成出高质量的多晶金刚石薄膜。综合多种材料表征手段分析了不同甲烷浓度、不同微波功率以及是否添加氧气对金刚石薄膜质量的影响,结果显示:甲烷浓度的增高,导致金刚石膜的沉积速率增加,而薄膜的质量却随之降低;同时,金刚石薄膜的生长晶向也发生明显转变;微波输出功率的增大有利于金刚石膜沉积速率的增加,同时薄膜质量也有所提升;另外,在沉积金刚石膜的过程中添加一定的氧气也有利于金刚石薄膜质量的提升。2.制备了高质量的同质外延单晶金刚石薄膜,并研究了不同浓度的硼掺杂和氮掺杂对金刚石薄膜生长速率、生长质量和表面形貌的影响。研究表明:低浓度的甲烷有利于高质量单晶金刚石的形成;高浓度的硼对金刚石薄膜的生长具有抑制作用,同时金刚石表面出现了与硼等离子体相关的刻蚀坑;而氮引起生长速率的增加是通过增强表面H的脱附从而使表面获得有效激活导致的,随着氮浓度的增加,金刚石薄膜表面的“台阶”宽度逐渐变小。3.研究了不同浓度的氮气对金刚石薄膜中近表面NV色心发光强度以及分布的调控作用。结果表明,不同氮浓度下NV-强度的变化是两种原因竞争下的综合结果:一是由于NV色心的形成导致的光致发光强度的增强,另外一种是由于金刚石膜晶体质量下降从而引起的光致发光强度的猝灭;氮浓度的增加有利于金刚石NV色心发光强度的增强,但同时也导致NV色心的分布产生明显的聚集现象;快速振镜共聚焦测试系统显示金刚石NV色心的发光区域主要聚集在其生长的“台阶”附近,且在台阶边缘处发光强度达到峰值。4.针对高浓度的氮气使得金刚石NV色心出现发光分布聚集的现象,开展了氧气对金刚石NV色心的调控研究。研究发现,氧气的引入会对金刚石NV色心的发光强度与分布具有明显的调控作用;低氧浓度使薄膜质量得到明显提升,因而促进了金刚石NV色心的形成;而在高氧浓度条件下,薄膜质量明显下降,氧优先刻蚀了由于氮催化作用形成的“小台阶”,因而抑制了部分NV色心的发光,导致NV色心整体的发光强度大大降低、分布更加离散;结合体系形成能的计算结果,说明了氧原子在金刚石NV色心体系中主要以间隙或替位的方式存在;并且随着氧浓度增加,形成能先降低后升高,从微观原子角度解释了不同氧浓度对金刚石NV色心形成的作用。通过氧气对金刚石NV色心强度以及空间分布的调控,后续再结合电子束光刻工艺等,可为设计强度可控、空间分布稳定的室温单光子源提供一个可选择的技术手段。5.p型金刚石与n型ZnO复合异质结器件是一种理想的电注入器件,同时金刚石的高热导率可以为解决ZnO等宽禁带半导体的自加热问题提供一种可行的解决方法。但在金刚石薄膜生长过程中,氢等离子体会对ZnO基底产生极强的刻蚀作用。针对该问题,提出利用两步生长法,先在ZnO衬底上覆盖一层薄的硅插入层,再进行MPCVD纳米金刚石膜的生长。研究显示,硅插入层可以有效缓解金刚石薄膜生长过程中等离子氢的刻蚀作用,并且在H2/CH4等离子体中硅薄膜会首先形成一层薄SiC层,该层又充当了后续纳米金刚石薄膜生长的成核层。该研究可以为后续大尺寸ZnO或GaN基金刚石异质结的生长以及器件的制备提供一种可行的技术参考。6.针对ZnO与碳基异质结器件的光电性能,采用基于密度泛函的第一性原理计算方法,开展了一维纳米ZnO@CNT核壳结构的电学与光学性质的研究。分别构建了金属型和半导体型CNT与纳米ZnO核壳结构体系,重点分析了不同CNT尺寸以及外加应力对金属型CNT@ZnO核壳结构稳定性以及电学性能的影响。研究发现,当手性指数n=m=9时,CNT@ZnO核壳结构形成能最低,结构最为稳定;复合之后,CNT与ZnO通过弱的范德华力结合,整体能带结构显示金属特性,而内部ZnO保持宽禁带的本质;随着外加应力的增大,复合体系Dirac点上移至导带,同时,内部ZnO的导带底也逐步降低,而其价带顶保持不变,导致ZnO带隙变窄,从而可实现对ZnO纳米结构电学性能的调节。该研究可以为后续纳米器件的应用以及设计新型功能性纳米器件提供一些激励性的想法。
二、DIAMOND HETEROEPITAXY-NUCLEATION, INTERFACE STRUCTURE, FILM GROWTH（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、DIAMOND HETEROEPITAXY-NUCLEATION, INTERFACE STRUCTURE, FILM GROWTH（论文提纲范文）
（1）硅衬底/铱/外延金刚石的第一性原理计算及实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题来源、研究目的及意义 |
| 1.2 单晶金刚石的制备、性质与应用 |
| 1.2.1 单晶金刚石的制备 |
| 1.2.2 单晶金刚石的性质与应用 |
| 1.2.3 单晶金刚石的表面微结构加工 |
| 1.3 金刚石异质外延生长衬底 |
| 1.3.1 常用的金刚石外延衬底材料 |
| 1.3.2 基于铱(Ir)的不同衬底结构 |
| 1.4 金刚石的形核和生长 |
| 1.4.1 偏压增强形核(BEN)法与初级核的形成 |
| 1.4.2 次级核的形成与衬底的表面形貌 |
| 1.4.3 金刚石外延生长的阶段 |
| 1.4.4 提高金刚石外延质量的衬底图形化生长方法 |
| 1.4.5 第一性原理计算研究薄膜生长机理 |
| 1.5 论文的主要研究内容和方法 |
| 1.5.1 论文的主要研究内容和意义 |
| 1.5.2 论文的主要研究方法 |
| 第2章 计算理论与实验方法 |
| 2.1 分子模拟与第一性原理计算方法 |
| 2.1.1 分子模拟的概念 |
| 2.1.2 第一性原理 |
| 2.2 密度泛函理论 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 |
| 2.2.3 交换相关泛函 |
| 2.3 计算软件与模块 |
| 2.3.1 Materials Studio软件及其优势 |
| 2.3.2 模块介绍 |
| 2.4 实验仪器及制样步骤 |
| 2.4.1 脉冲激光沉积(PLD)系统 |
| 2.4.2 电子束蒸镀(e-beam)系统 |
| 2.4.3 微波等离子体辅助化学气相沉积(MPCVD)系统 |
| 2.5 测试仪器及方法 |
| 2.5.1 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.5.2 X射线衍射仪(XRD) |
| 2.5.3 原子力显微镜(AFM) |
| 2.5.4 X射线光电子能谱仪(XPS) |
| 2.5.5 拉曼光谱仪(Raman) |
| 第3章 金刚石异质外延底层衬底的生长理论 |
| 3.1 金刚石异质外延衬底设计 |
| 3.1.1 衬底设计的理论因素 |
| 3.1.2 衬底设计的技术因素 |
| 3.2 Si衬底上生长结构完整的TiN薄膜 |
| 3.2.1 模型及计算方法 |
| 3.2.2 TiN(100)的力学性质 |
| 3.2.3 粘接能与成键特性 |
| 3.3 TiN薄膜的粘接作用 |
| 3.3.1 模型及计算方法 |
| 3.3.2 界面吸附能与构型 |
| 3.3.3 布居分析 |
| 3.3.4 界面的电子结构与态密度 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 Ir(100)功能层对金刚石形核的促进 |
| 4.1 最初生长阶段Ir-C之间的相互作用 |
| 4.1.1 模型及计算方法 |
| 4.1.2 C原子在Ir(100)表面的吸附和脱附 |
| 4.1.3 浅注入C原子的析出 |
| 4.2 Ir功能层在金刚石形核过程中的作用 |
| 4.2.1 C原子与Cu、Ni(100)的相互作用 |
| 4.2.2 不同衬底上金刚石生长的可行性与实现性 |
| 4.3 MgO(100)上外延的Ir薄膜 |
| 4.3.1 模型及计算方法 |
| 4.3.2 粘接能及界面结构 |
| 4.3.3 Ir(100)薄膜在MgO衬底上的生长 |
| 4.3.4 衬底温度和沉积速率的作用 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 Ir薄膜上金刚石形核与生长的模拟计算 |
| 5.1 CVD法生长金刚石的原理与过程 |
| 5.1.1 CVD法生长金刚石的原理 |
| 5.1.2 沉积过程的动力学模拟 |
| 5.2 偏压增强形核(BEN)法与初级晶核的形成 |
| 5.2.1 BEN过程中偏压范围选取 |
| 5.2.2 金刚石初级晶核的形成 |
| 5.3 金刚石晶核的生长与连接 |
| 5.3.1 模型与计算方法 |
| 5.3.2 Ir(100)/Dia(100)界面相互作用 |
| 5.3.3 金刚石晶核的分步生长 |
| 5.3.4 金刚石晶粒的连接 |
| 5.4 纳米晶到单晶:单晶金刚石形核生长过程 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 金刚石异质外延生长衬底制备 |
| 6.1 MgO(100)衬底上生长的Ir(100)薄膜 |
| 6.1.1 生长Ir(100)薄膜的实验参数 |
| 6.1.2 Ir(100)薄膜的表面形貌与粗糙度 |
| 6.1.3 Ir(100)薄膜的生长质量 |
| 6.2 Si(100)衬底上生长的结构完整TiN(100)薄膜 |
| 6.2.1 TiN(100)薄膜的制备参数 |
| 6.2.2 TiN(100)薄膜的形貌与粗糙度 |
| 6.2.3 TiN(100)薄膜的结构和价态 |
| 6.2.4 TiN(100)薄膜的力学性质 |
| 6.2.5 实验参数的协同补偿作用 |
| 6.3 Si衬底上生长的TiN(100)/MgO(100)叠层 |
| 6.3.1 TiN(100)/MgO(100)叠层的制备参数 |
| 6.3.2 TiN(100)/MgO(100)叠层的形貌与结构 |
| 6.3.3 TiN(100)/MgO(100)叠层的界面化学键 |
| 6.3.4 TiN(100)过渡层的作用 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 Ir薄膜上金刚石的形核生长过程 |
| 7.1 Ir(100)上金刚石的形核 |
| 7.1.1 金刚石异质外延实验参数 |
| 7.1.2 施加偏压前Ir-C间的相互作用 |
| 7.1.3 偏压增强形核(BEN)过程的形核 |
| 7.2 Ir(100)上金刚石的生长 |
| 7.2.1 外延金刚石晶核的连接 |
| 7.2.2 取向不一致的金刚石晶核 |
| 7.2.3 晶界湮没 |
| 7.2.4 外延金刚石薄膜的形成 |
| 7.3 外延可互换性 |
| 7.3.1 外延可互换性的概念 |
| 7.3.2 金刚石上外延的Ir(100)薄膜 |
| 7.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（2）超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 金刚石材料 |
| 1.1 大尺寸金刚石及晶圆 |
| 1.2 低缺陷密度的单晶金刚石 |
| 1.3 金刚石材料的掺杂 |
| 2 功率二极管 |
| 2.1 SBD |
| 2.2 p-n结二极管 |
（3）GaN基金刚石散热层的制备及其性能研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 氮化镓的性能及应用前景 |
| 2.1.1 氮化镓的基本性能 |
| 2.1.2 氮化镓制备的研究进展 |
| 2.1.3 氮化镓的性能及应用 |
| 2.2 氮化镓器件自热效应及解决方案 |
| 2.3 金刚石的基本性能及制备方法 |
| 2.4 金刚石在GaN功率器件中的应用研究进展 |
| 2.4.1 键合技术制备金刚石衬底GaN |
| 2.4.2 基于GaN外延层背面直接生长金刚石 |
| 2.4.3 单晶金刚石衬底散热技术 |
| 2.4.4 高导热金刚石钝化层散热技术 |
| 3 研究内容与试验方法 |
| 3.1 研究内容 |
| 3.2 研究思路 |
| 3.3 实验方法 |
| 3.3.1 实验设备 |
| 3.3.2 实验材料 |
| 3.4 实验内容 |
| 3.4.1 制备金刚石衬底GaN晶圆的关键技术 |
| 3.4.2 制备金刚石衬底GaN晶圆技术路线 |
| 3.5 制备金刚石衬底GaN结构的表征手段 |
| 3.5.1 形貌及显微组织表征和评价 |
| 3.5.2 物相表征 |
| 3.5.3 成分及成键状态表征 |
| 3.5.4 电学特性表征 |
| 3.5.5 力学特性表征 |
| 3.5.6 薄膜和粉末zeta电位表征 |
| 3.5.7 热学特性表征 |
| 4 氢等离子体环境中GaN的稳定性研究 |
| 4.1 高温氢等离子体中GaN外延层的诱导分解 |
| 4.2 高温氢等离子体中GaN稳定性强化研究 |
| 4.2.1 保护层对抑制GaN分解的作用 |
| 4.2.2 增加氮分压对抑制GaN分解的作用 |
| 4.2.3 保护层和N2对抑制GaN分解的作用 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 氮化镓的保护层制备及特性分析 |
| 5.1 保护层选择及制备的影响因素分析 |
| 5.2 磁控溅射沉积条件对沉积SiNx的影响 |
| 5.2.1 溅射功率对沉积SiNx保护层的特性影响 |
| 5.2.2 气体比例对沉积SiNx保护层的特性影响 |
| 5.2.3 沉积温度对沉积SiNx保护层的特性影响 |
| 5.3 磁控溅射沉积条件对沉积AlN的影响 |
| 5.3.1 溅射功率对沉积AlN保护层特性的影响 |
| 5.3.2 气体比例对AlN保护层的特性影响 |
| 5.3.3 沉积温度对对沉积AlN保护层的特性影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 氮化镓/保护层表面沉积金刚石膜及热传输特性研究 |
| 6.1 沉积温度对氮化镓/保护层表面沉积金刚石的影响 |
| 6.2 甲烷浓度对氮化镓/保护层表面沉积金刚石膜的影响 |
| 6.3 氮化镓/保护层表面金刚石形核规律机制研究 |
| 6.3.1 保护层选材对金刚石形核影响 |
| 6.3.2 保护层预处理对增强形核金刚石的影响 |
| 6.3.3 保护层表面增强形核金刚石机制研究 |
| 6.4 金刚石/GaN界面热传输特性及机制 |
| 6.4.1 金刚石/GaN结构界面传输理论基础 |
| 6.4.2 保护层对金刚石/GaN界面热传输的影响 |
| 6.4.3 保护层声子态密度在金刚石/GaN界面热传输中作用 |
| 6.4.4 界面微观结构对金刚石/GaN界面热传输的影响 |
| 6.5 本章小结 |
| 7 基于双金刚石层制备金刚石衬底GaN结构及其性能研究 |
| 7.1 GaN外延层临时转移及GaN原始衬底的剥离 |
| 7.2 散热层金刚石膜两步法沉积及临时载体剥离 |
| 7.3 金刚石衬底GaN结构本征特性及其应力演变 |
| 7.3.1 金刚石衬底GaN本征特性变化 |
| 7.3.2 金刚石衬底GaN界面结构及应力演变 |
| 7.4 金刚石衬底GaN的电子迁移率 |
| 7.5 本章小结 |
| 8 结论 |
| 主要创新点 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（4）GaN基材料的分子束外延及其发光器件的制备与表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 氮化物半导体材料概述 |
| 1.1.1 氮化物半导体材料的发展历史 |
| 1.1.2 氮化物半导体材料的基本性质 |
| 1.2 氮化镓基发光二极管研究现状 |
| 1.2.1 氮化镓基发光二极管发展的制约因素 |
| 1.2.2 几种氮化镓基发光二极管的改进方案概述 |
| 1.3 长波长、高光效氮化镓基发光二极管MBE外延难点及研究现状 |
| 1.3.1 GaN薄膜二次外延技术 |
| 1.3.2 GaN纳米柱及GaN纳米柱基InGaN/GaN量子阱结构 |
| 1.4 论文结构与研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 分子束外延技术及常用的表征技术简介 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 氮化物分子束外延系统及其外延原理 |
| 2.3 测试表征方法简介 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 分子束同质外延GaN薄膜的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 分子束外延高质量GaN薄膜技术的研究 |
| 3.2.1 表面Ga原子层控制技术 |
| 3.2.2 表面及界面处理技术 |
| 3.3 分子束外延n型GaN薄膜的研究 |
| 3.3.1 样品的制备及形貌表征 |
| 3.3.2 样品的电学性能测试及分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 隧穿结Micro-LEDs的制备及其特性的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 隧道结绿光LEDs结构的外延生长及Micro-LEDs器件的制备 |
| 4.2.1 隧道结绿光LEDs的外延生长 |
| 4.2.2 隧道结绿光Micro-LEDs器件的制备 |
| 4.3 隧道结Micro-LEDs性能分析 |
| 4.3.1 Micro-LEDs结构在提高LEDs调制带宽上的影响 |
| 4.3.2 隧道结Micro-LEDs结构漏电特性研究 |
| 4.3.3 隧道结Micro-LEDs结构光电特性分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 自组装GaN纳米柱的制备及GaN纳米柱基InGaN/GaN多量子阱结构的制备与表征 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 自组装GaN纳米柱的制备及生长机制分析 |
| 5.2.1 金属Al退火温度对纳米柱形貌的影响 |
| 5.2.2 金属Al沉积时间对纳米柱形貌的影响 |
| 5.2.3 N/Ga比对纳米柱形貌的影响 |
| 5.3 InGaN/GaN多量子阱纳米柱的制备与表征 |
| 5.3.1 高In组分InGaN纳米柱的制备与表征 |
| 5.3.2 长波长复合光InGaN/GaN多量子阱纳米柱的制备与表征 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 全文总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 研究展望 |
| 攻读博士期间发表学术论文、参加学术会议和申请专利情况 |
| 致谢 |
（5）氧化镓基光电探测器的制备及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 氧化镓材料的基本物理特性和制备方法 |
| 1.2.1 氧化镓材料的基本物理特性 |
| 1.2.2 β-Ga_2O_3 单晶材料的制备 |
| 1.2.3 β-Ga_2O_3 薄膜材料的制备 |
| 1.3 氧化镓材料的应用以及研究进展 |
| 1.3.1 紫外光电探测器 |
| 1.3.2 其他用途 |
| 1.4 目前存在问题与本文主要研究内容 |
| 第二章 氧化镓薄膜制备表征及探测器测试方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 氧化镓薄膜材料的制备方法 |
| 2.2.1 脉冲激光沉积(PLD) |
| 2.2.2 磁控溅射 |
| 2.2.3 后退火处理 |
| 2.3 氧化镓薄膜材料表征技术 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) |
| 2.3.2 X射线光电子能谱仪(XPS) |
| 2.3.3 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.3.4 原子力显微镜(AFM) |
| 2.3.5 紫外-可见分光光度计(UV-VIS Spectrophotometer) |
| 2.4 光电探测器 |
| 2.4.1 光电探测器工作原理 |
| 2.4.2 光电探测器性能参数 |
| 2.4.3 光电探测器的分类 |
| 2.4.4 光电探测器光电特性测试方法 |
| 2.5 本章总结 |
| 第三章 基于PLD技术的β-Ga_2O_3薄膜外延工艺与薄膜特性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 衬底温度对β-Ga_2O_3薄膜结构和光学特性的影响 |
| 3.3 退火温度对β-Ga_2O_3薄膜结构和光学特性的影响 |
| 3.4 退火环境对β-Ga_2O_3薄膜结构和光学特性影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 β-Ga_2O_3MSM型光电探测器的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 优化薄膜质量对β-Ga_2O_3 MSM型光电探测器性能的影响 |
| 4.2.1 探测器结构设计与制备 |
| 4.2.2 探测器光电性能测试与分析 |
| 4.2.3 探测器的光电机理分析 |
| 4.3 优化电极结构对β-Ga_2O_3 MSM型光电探测性能的影响 |
| 4.3.1 探测器结构设计与制备 |
| 4.3.2 探测器光电性能测试与分析 |
| 4.3.3 探测器的光电机理分析 |
| 4.4 Pt纳米颗粒增强β-Ga_2O_3 MSM型光电探测的性能研究 |
| 4.4.1 探测器结构设计与制备 |
| 4.4.2 探测器光电性能测试与分析 |
| 4.4.3 探测器光电机理分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 β-Ga_2O_3异质结自驱动紫外光电探测器研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 β-Ga_2O_3/SiC异质结自驱动紫外光电探测器性能研究 |
| 5.2.1 4H-SiC衬底外延β-Ga_2O_3薄膜材料表征 |
| 5.2.2 探测器结构设计与制备 |
| 5.2.3 探测器光电性能测试与分析 |
| 5.2.4 探测器光电机理分析 |
| 5.3 β-Ga_2O_3/NiO异质结自驱动紫外光电探测器性能研究 |
| 5.3.1 NiO薄膜及器件结构制备 |
| 5.3.2 探测器光电性能测试与分析 |
| 5.3.3 探测器光电机理分析 |
| 5.4 Pt纳米颗粒增强β-Ga_2O_3/NiO异质结紫外光电探测器性能研究 |
| 5.4.1 探测器结构设计与制备 |
| 5.4.2 探测器光电性能测试与分析 |
| 5.4.3 探测器光电机理分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（6）金属氧化物半导体光电探测器新结构研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 宽禁带氧化镓简介 |
| 1.3 研究工作的背景与意义 |
| 1.4 氧化镓材料的国内外研究进展 |
| 1.4.1 不同掺杂氧化镓薄膜的现状 |
| 1.4.2 不同衬底制备氧化镓薄膜的现状 |
| 1.5 本文的主要研究内容 |
| 第二章 实验设备及表征理论基础 |
| 2.1 实验设备简介 |
| 2.1.1 分子束外延设备 |
| 2.1.2 电子束蒸发设备 |
| 2.2 氧化镓薄膜表征方法简介 |
| 2.2.1 X射线衍射分析(XRD) |
| 2.2.2 透射电子显微镜(TEM) |
| 2.3 氧化镓日盲紫外探测器 |
| 2.3.1 结构和原理 |
| 2.3.2 光电性能参数分析 |
| 2.3.3 光电性能测试系统 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 β-Ga_2O_3/Sn:β-Ga_2O_3/β-Ga_2O_3 三明治结构光电探测器研制 |
| 3.1 三明治结构氧化镓薄膜的生长 |
| 3.2 三明治结构氧化镓MSM光电探测器的制备 |
| 3.3 缓冲层和绝缘层对三明治结构光电探测器性能的影响 |
| 3.3.1 I-V特性 |
| 3.3.2 时间响应特性 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于c面和r面蓝宝石衬底的β-Ga_2O_3 光电探测器的研制 |
| 4.1 c面和r面蓝宝石上氧化镓薄膜的生长 |
| 4.2 c面和r面蓝宝石上氧化镓MSM光电探测器的制备 |
| 4.3 c面和r面蓝宝石衬底对氧化镓薄膜的晶体质量的影响 |
| 4.4 衬底温度对c面和r面蓝宝石生长氧化镓光电探测器性能的影响 |
| 4.4.1 I-V特性 |
| 4.4.2 时间响应特性 |
| 4.4.3 光谱响应特性 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 全文总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（7）Si衬底上MOCVD法外延高质量GaN薄膜的生长研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 概述 |
| 1.2 GaN材料的基本特性 |
| 1.3 GaN基材料的制备技术 |
| 1.3.1 原子层外延(Atomic Layer Epitaxy) |
| 1.3.2 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy) |
| 1.3.3 氢化物气相外延技术(Hydride Vapor Phase Epitaxy) |
| 1.3.4 金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) |
| 1.4 Si基GaN材料的研究进展及应用前景 |
| 1.4.1 Si衬底上GaN薄膜生长的研究意义 |
| 1.4.2 Si衬底上GaN薄膜生长的关键问题 |
| 1.4.3 Si衬底上GaN薄膜生长的研究现状 |
| 1.5 本文主要研究内容 |
| 第二章 GaN薄膜MOCVD生长系统及材料表征 |
| 2.1 MOCVD外延技术与薄膜生长 |
| 2.1.1 MOCVD设备简介 |
| 2.1.2 MOCVD外延生长原理 |
| 2.1.3 薄膜材料生长的基本模型 |
| 2.1.4 薄膜材料的化学反应过程 |
| 2.2 GaN外延薄膜的量测手段 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) |
| 2.2.2 光学电子显微镜(OM) |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) |
| 2.2.4 扫描电子显微镜(SEM) |
| 第三章 Si衬底上GaN薄膜生长的工艺条件研究 |
| 3.1 Si衬底上GaN外延薄膜缓冲层的选择 |
| 3.2 Si衬底外延生长GaN薄膜的前期预处理 |
| 3.3 预铺Al对AlN缓冲层生长的影响 |
| 3.4 预铺Al对 AlN缓冲层上外延生长GaN薄膜的影响 |
| 3.5 采用AlN缓冲层外延生长GaN薄膜的影响 |
| 3.5.1 AlN缓冲层生长压力 |
| 3.5.2 AlN缓冲层生长温度 |
| 3.5.3 AlN缓冲层生长厚度 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 采用LT/HT_AlN双缓冲层外延生长GaN薄膜的研究 |
| 4.1 插入LT_AlN缓冲层外延生长GaN薄膜的方法 |
| 4.2 不同温度的LT_AlN缓冲层对外延生长GaN薄膜的影响 |
| 4.3 不同厚度的LT_AlN缓冲层对外延生长GaN薄膜的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 采用插入Al_xGa_(1-x)N应力释放层外延生长高质量GaN薄膜 |
| 5.1 插入单一组分的Al_xGa_(1-x)N应力释放层对外延生长GaN薄膜的影响 |
| 5.2 插入阶梯式多组分的Al_xGa_(1-x)N层对外延生长GaN薄膜的影响 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 本文总结 |
| 6.2 未来展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 硕士在读期间取得的研究成果 |
（8）氧化镓材料特性及光电探测器研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 氧化镓材料基本特性及制备工艺 |
| 1.1.1 氧化镓材料基本特性 |
| 1.1.2 氧化镓单晶衬底制备技术 |
| 1.1.3 氧化镓薄膜制备技术 |
| 1.2 氧化镓应用研究现状 |
| 1.2.1 高功率电力电子器件 |
| 1.2.2 日盲光电探测器 |
| 1.2.3 气敏传感器 |
| 1.2.4 其他用途 |
| 1.3 目前存在的问题及本文内容安排 |
| 1.3.1 目前存在的问题 |
| 1.3.2 本文内容安排 |
| 第二章 β-Ga_2O_3薄膜生长、表征技术和理论研究方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 β-Ga_2O_3薄膜生长方法 |
| 2.2.1 磁控溅射法 |
| 2.2.2 脉冲激光沉积法 |
| 2.3 薄膜材料表征方法 |
| 2.4 第一性原理计算方法 |
| 2.4.1 薛定谔方程及近似求解方法 |
| 2.4.2 密度度泛函理论(Density Functional Theory, DFT) |
| 2.4.3 本文计算软件简介 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 β-Ga_2O_3的氧空位缺陷及氮掺杂第一性原理研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 β-Ga_2O_3氧空位缺陷第一性原理研究 |
| 3.2.1 模型的建立及计算泛函和参数的选取 |
| 3.2.2 氧空位形成能和缺陷转变能级 |
| 3.2.3 氧空位对 β-Ga_2O_3晶格结构和能带结构的影响 |
| 3.2.4 氧空位对 β-Ga_2O_3光学性质的影响 |
| 3.3 β-Ga_2O_3氮元素掺杂理论研究 |
| 3.3.1 模型的建立及计算泛函和参数的选取 |
| 3.3.2 体系形成能 |
| 3.3.3 能带结构和态密度分布 |
| 3.3.4 光学性质 |
| 3.3.5 本章小结 |
| 第四章 β-Ga_2O_3薄膜制备工艺研究及表征 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验原料、设备及工艺流程 |
| 4.3 薄膜样品的表征测试 |
| 4.3.1 薄膜样品的淀积速率 |
| 4.3.2 样品的结构表征 |
| 4.3.3 薄膜样品的形貌表征 |
| 4.3.4 薄膜样品的组分表征 |
| 4.3.5 薄膜样品的光学表征 |
| 4.3.6 测试结果与DFT计算结果对比 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 日盲光电探测器制备及研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 基于 β-Ga_2O_3/SiC异质结的日盲光电探测器 |
| 5.2.1 β-Ga_2O_3/SiC异质结制备及表征 |
| 5.2.2 器件制备 |
| 5.2.3 器件性能测试与表征 |
| 5.2.4 器件工作机理分析 |
| 5.3 基于 β-Ga_2O_3单晶的自供电型日盲光电探测器 |
| 5.3.1 器件制备 |
| 5.3.2 器件性能测试与表征 |
| 5.3.3 器件工作机理分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 本文总结 |
| 6.2 未来工作及展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（9）Si（110）衬底上AlN薄膜的激光分子束外延法制备及其光电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 AlN的晶体结构与应用 |
| 1.2.1 AlN的晶体结构 |
| 1.2.2 AlN的应用 |
| 1.3 AlN薄膜的制备方法及生长过程 |
| 1.3.1 AlN薄膜的制备方法 |
| 1.3.2 薄膜的生长过程 |
| 1.3.3 影响薄膜生长的因素 |
| 1.4 AlN薄膜的研究进展 |
| 1.4.1 AlN薄膜的生长衬底 |
| 1.4.2 Si(110)衬底上生长氮化物薄膜的研究进展 |
| 1.5 论文的研究意义和研究内容 |
| 1.5.1 论文的研究意义 |
| 1.5.2 论文的研究内容 |
| 第二章 实验材料与测试方法 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.2 衬底材料清洗 |
| 2.3 激光分子束外延AlN薄膜的工艺 |
| 2.4 薄膜的测试表征手段 |
| 第三章 工艺参数对AlN薄膜显微组织结构的影响 |
| 3.1 衬底温度对AlN薄膜显微组织结构的影响 |
| 3.1.1 衬底温度对AlN薄膜晶体质量的影响 |
| 3.1.2 衬底温度对AlN薄膜表面形貌的影响 |
| 3.2 氮气分压对AlN薄膜显微组织结构的影响 |
| 3.2.1 氮气分压对AlN薄膜结晶质量的影响 |
| 3.2.2 氮气分压对AlN薄膜表面形貌的影响 |
| 3.3 激光频率对AlN薄膜显微组织结构的影响 |
| 3.3.1 激光频率对AlN薄膜结晶质量的影响 |
| 3.3.2 激光频率对AlN薄膜表面形貌的影响 |
| 3.4 AlN/Si(110)的界面形貌 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 AlN薄膜的光电性能 |
| 4.1 工艺参数对立方AlN薄膜光学性能的影响 |
| 4.1.1 紫外-可见反射光谱表征及分析 |
| 4.1.2 光致发光(PL)表征及分析 |
| 4.2 AlN/Si p-n结的电学性能 |
| 4.2.1 伏安(I-V)特性 |
| 4.2.2 电致发光(EL)特性 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表的论文情况 |
（10）金刚石薄膜及异质结的生长与性质研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 金刚石的结构、性质及应用前景 |
| 1.2.1 金刚石的晶体结构 |
| 1.2.2 金刚石的性质以及应用前景 |
| 1.3 人工合成金刚石的历史 |
| 1.4 金刚石薄膜的制备方法及生长机理 |
| 1.4.1 高温高压(HPHT)法 |
| 1.4.2 化学气相沉积(CVD)法 |
| 1.4.3 CVD金刚石的生长机理与生长模式 |
| 1.5 金刚石NV色心的性质及应用简介 |
| 1.5.1 NV色心在磁场探测领域的应用 |
| 1.5.2 NV色心在温度探测领域的应用 |
| 1.5.3 NV色心在自旋探测领域的应用 |
| 1.6 论文主要工作及结构安排 |
| 1.7 本章参考文献 |
| 第二章 实验装置与材料表征方法 |
| 2.1 实验装置 |
| 2.2 材料表征方法 |
| 2.2.1 激光拉曼光谱(Raman) |
| 2.2.2 光致发光光谱(PL) |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) |
| 2.2.4 光学显微镜(OM) |
| 2.2.5 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.2.6 X射线衍射谱(XRD) |
| 2.2.7 共聚焦荧光扫描显微镜(Confocal scanning microscope) |
| 2.3 本章小结 |
| 2.4 本章参考文献 |
| 第三章 CVD多晶金刚石薄膜外延生长的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 衬底预处理 |
| 3.3 工艺参数对金刚石薄膜外延生长的影响 |
| 3.3.1 甲烷浓度对金刚石薄膜生长的影响 |
| 3.3.2 微波功率对金刚石薄膜生长的影响 |
| 3.3.3 添加氧气对金刚石薄膜生长的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 3.5 本章参考文献 |
| 第四章 金刚石薄膜的同质外延生长与掺杂 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 金刚石薄膜的同质外延生长研究 |
| 4.3 金刚石薄膜的硼掺杂研究 |
| 4.4 金刚石薄膜的氮掺杂研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 4.6 本章参考文献 |
| 第五章 CVD单晶金刚石的NV色心调控研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 氮气浓度对金刚石NV色心的影响研究 |
| 5.3 氧气浓度对金刚石NV色心影响的研究 |
| 5.3.1 不同氧浓度金刚石样品的制备 |
| 5.3.2 实验结果与分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 5.5 本章参考文献 |
| 第六章 氧化锌/纳米金刚石异质结的制备与表征 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 样品制备 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 Al_2O_3/ZnO异质外延薄膜的生长与质量表征 |
| 6.3.2 Al_2O_3/ZnO/Si薄膜的生长与质量表征 |
| 6.3.3 Al_2O_3/ZnO/Si/NCD薄膜的生长与质量表征 |
| 6.4 本章小结 |
| 6.5 本章参考文献 |
| 第七章 碳纳米管/纳米氧化锌异质结光学与电学性能研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 计算方法与计算模型 |
| 7.3 计算结果与讨论 |
| 7.3.1 ZnO@(9,9)CNT复合结构形成能 |
| 7.3.2 ZnO@(9,9)CNT复合结构能带结构和态密度 |
| 7.3.3 ZnO@(9,9)CNT复合结构光学吸收谱 |
| 7.4 半导体型CNT包裹纳米氧化锌电学与光学性能研究 |
| 7.4.1 计算方法与计算模型 |
| 7.4.2 半导体型CNT包裹纳米氧化锌的电子结构 |
| 7.4.3 半导体型CNT包裹纳米氧化锌的光学吸收谱 |
| 7.5 本章小结 |
| 7.6 本章参考文献 |
| 第八章 总结与展望 |
| 8.1 论文工作总结 |
| 8.2 研究展望 |
| 致谢 |
| 博士期间研究成果 |
四、DIAMOND HETEROEPITAXY-NUCLEATION, INTERFACE STRUCTURE, FILM GROWTH（论文参考文献）
- [1]硅衬底/铱/外延金刚石的第一性原理计算及实验研究[D]. 王杨. 哈尔滨工业大学, 2021(02)
- [2]超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展[J]. 赵正平. 半导体技术, 2021(01)
- [3]GaN基金刚石散热层的制备及其性能研究[D]. 贾鑫. 北京科技大学, 2020(02)
- [4]GaN基材料的分子束外延及其发光器件的制备与表征[D]. 吴耀政. 南京大学, 2020(12)
- [5]氧化镓基光电探测器的制备及其性能研究[D]. 余建刚. 西安电子科技大学, 2020(02)
- [6]金属氧化物半导体光电探测器新结构研究[D]. 刘庆. 电子科技大学, 2020(07)
- [7]Si衬底上MOCVD法外延高质量GaN薄膜的生长研究[D]. 仇成功. 温州大学, 2019(04)
- [8]氧化镓材料特性及光电探测器研究[D]. 董林鹏. 西安电子科技大学, 2019(02)
- [9]Si（110）衬底上AlN薄膜的激光分子束外延法制备及其光电性能研究[D]. 翁瑶. 广西大学, 2019(01)
- [10]金刚石薄膜及异质结的生长与性质研究[D]. 沈洋. 南京大学, 2019(11)