一、提高静电加速器击穿电压方法分析（论文文献综述）
姜山[1]（2021）在《我国加速器质谱仪器技术在国际上的地位》文中研究表明本文介绍了国际上加速器质谱（accelerator mass spectrometry, AMS）仪器技术的发展过程和现状和40年来我国AMS仪器研发的进展情况,以及最具代表性的中国原子能科学研究院和启先核（北京）科技有限公司仪器研发的情况。着重介绍了我国最新发明的基于超强电离技术的质谱学原理、仪器结构与特点,以及能够开展的应用。
梁伟[2]（2021）在《电阻式皮安级微电流源技术研究》文中指出
汤梅堂[3]（2021）在《HIAF SRing电子冷却中电子束的产生、传输与收集》文中进行了进一步梳理电子冷却技术能够有效减小离子储存环中束流的能散、发射度,改善束流品质。在内靶实验中电子冷却能够补偿打靶过程离子束的能量损失、能够抑制打靶过程离子束的发射度增长,从而使离子束多次重复打靶提高打靶亮度。基于以上原因,电子冷却技术广泛应用于离子储存环上。实现离子束快速冷却是电子冷却设备设计的最根本的目标。为了达到这个目标,电子冷却设备在设计中要满足以下要求:第一,电子束在产生、传输过程必须保持极低的温度;第二,电子束在电子离子相互作用轨道要有极高的准直性;第三,加速电子的高压系统要有足够高的精度和稳定性,为了保持电子冷却高压系统的稳定性要求电子束要有很高的收集效率。本文从电子冷却基本原理出发,依据HIAF-SRing电子冷却的设计要求,阐述了电子束的产生、传输和收集过程。论文通过数值模拟和解析方法研究了电子枪区域电子束温度的影响因素,提出了电子枪区域磁场设计的基本要求,并为HIAF-SRing设计了电子束分布可调的电子枪。本论文研究了电子束的加速及绝热展开过程,提出了绝热展开、加速过程的磁场设计方案。用解析计算和数值模拟的方法研究了加速过程电子束温度增长,并提出了抑制温度增长的方法。电子束在弯曲螺线管中的传输过程复杂,本论文研究了电子束在弯曲螺线管中的传输过程,发现了弯曲螺线管中电子束温度增长的机制,并提出相应的优化设计方案。电子冷却设备中的磁场缺陷会导致电子束温度增长,本论文用数值模拟及解析计算的方法研究了HIAF-SRing电子冷却系统中磁场缺陷导致的电子束温度增长,提出了基于短线圈的电子束温度增长的补偿方法。本论文首次采用蒙特卡洛方法模拟了收集器中二次电子的产生,研究了收集器收集效率的影响因素,优化了收集器区域的电磁场及收集器的结构。最后本论文总结了电子冷却电子枪、收集器的离线测试结果,并与模拟结果做了对比,模拟结果得到了实验结果的验证。
李磊[4]（2020）在《MOS控制晶闸管的位移损伤机理与加固关键技术研究》文中进行了进一步梳理金属-氧化物-半导体场效应晶体管控制晶闸管（Metal-oxide-semiconductor Controlled Thrysitor,MCT）是一种硅基高压器件,具有触发延迟小、导通阻抗低、电流上升速率快等优点,常用作爆炸箔起爆器的触发开关。阳极短路型栅控晶闸管（Anode Shorted Metal-Oxide-Semiconductor Controlled Thrysitor,AS-MCT）是新一代的MCT,相较于常规MCT,具备常关断能力,能够简化驱动电路,对导弹电子学系统的可靠性和小型化具有重要的作用,已经逐步替代常规的MCT。AS-MCT为金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor,MOS）、多重双极型晶体管构建的复合型器件,工作物理机制复杂,在中子辐射场中,由于中子源不可避免的存在伴生γ辐射,器件内部会同时产生位移损伤和电离损伤,严重影响起爆电路的脉冲放电性能,直至于无法起爆。AS-MCT是一种军事用途明显的高端半导体器件,一直禁运,特别是AS-MCT器件物理和辐射效应研究的公开资料非常少,严重阻碍了该类器件的自主研制、辐射效应和抗辐射加固技术的研究。基于此,本文在业内率先报道了AS-MCT的器件工作物理机制、电参数辐射损伤效应以及器件损伤对电容脉冲放电性能影响的研究。同时开展了该类器件的抗辐射加固技术的初探,为后续更高注量中子辐照效应研究及产品研制做技术储备。本文的主要内容如下:1、深入分析AS-MCT的器件结构,在特定栅极和阳极偏置条件下,建立了反向二极管、开基三极管、MOS、JFET（Junction Field Effect Transistor）、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和晶闸管六种等效电路与工作模式,同时借助TCAD仿真器分析了转移、正向导通、正向阻断、反向和脉冲放电五个特性。2、围绕“实验-效应-模型-电路”,开展位移辐射损伤效应和机理的研究。以XND1型AS-MCT为研究对象（1800 V、60 A级）,利用CFBR-II堆开展了裂变中子辐照实验,获得了3.1×109 cm-2至5×1013 cm-2范围内的实验数据;以该器件的等效电路为基础,分析了AS-MCT转移特性、正向传输特性和正向阻断特性的位移辐射效应;首先对AS-MCT中核心结构--三极管的增益损伤模型进行改进,考虑了缓变掺杂基区自建场对增益损伤的影响,建立了具有广域特性（适用于均匀和缓变掺杂基区）三极管增益位移损伤的解析模型。以此为基础,建立了器件关键电参数（触发电流、正向漏电和正向击穿电压）位移损伤的解析模型;最后利用实验和等效漏电电阻法分析了器件位移辐照损伤对电容脉冲放电电路性能的影响,包括充电时间常数变化、电容电压减小和峰值脉冲电流减小。3、围绕“实验-效应-电路”,开展电离损伤效应和机理的研究。以XND1型AS-MCT为研究对象,利用钴-60源开展电离辐照实验,获得了9160 Gy（Si O2）范围内的实验数据;以该器件的等效电路为基础,分析了转移特性、正向传导特性和正向阻断特性的电离辐射效应;最后,利用实验和等效漏电电阻法,分析了器件电离辐照损伤对电容脉冲放电电路性能的影响,典型的电路参数损伤效应包括充电时间常数变化、电容电压减小和峰值脉冲电流减小。4、开展AS-MCT的抗辐射加固技术研究。以增益位移损伤模型为指导,提出了含场阻止结构的抗位移损伤的器件结构,采用场阻止层抑制N-base区耗尽,减薄N-base区,减小载流子渡越时间,抑制位移缺陷对载流子的复合,提高器件触发特性的抗位移损伤能力。较XND1型AS-MCT（代表现有技术水平）,新结构器件触发电流抗位移辐射损伤的能力增大约1.7倍;提出了电离损伤加固的结构,采用“均匀掺杂沟道+Si3N4/Si O2复合栅”结构,抑制阳极沟道耗尽和电离缺陷产生,对漏电进行结构加固,沟道的均匀掺杂利用横向渐变掺杂技术实现。较XND1型AS-MCT,加固器件阳极漏电抗电离辐射损伤的能力提高约4倍。本文的工作,对AS-MCT的产品研制及抗辐射损伤加固技术的研究打下了一定的基础,期望能为后续该类产品的国产化及实用化起到抛砖引玉的作用。
章雪亮[5]（2019）在《CFETR N-NBI样机加速器高压电源设计与关键技术研究》文中研究说明大功率负离子源中性束系统（Negative-ion-based Neutral Beam Injectors,N-NBI）是未来聚变装置必须的辅助加热系统。但是目前我国尚无大功率N-NBI系统的研制经验,为了发展用于中国聚变工程实验堆（China Fusion Engineering Test Reactor,CFETR）的N-NBI相关技术,国家重点研发计划项目资助研制一套200keV的N-NBI工程样机。其中,加速器高压电源是中性束能量的主要来源,是N-NBI系统的关键组件之一。CFETR N-NBI样机需要一台200kV/25A的直流高压电源为其加速器供电,该电源决定采用与ITER N-NBI加速器高压电源类似的逆变型直流高压电源方案,而我国没有此类高压电源的研制经验。作为国内首套用于聚变辅助加热领域的逆变型直流高压电源,本文根据CFETR N-NBI样机的需求,完成了电源的整体方案设计,对关键部件中点箝位型（Neutral Point Calmped,NPC）三电平逆变器和隔离升压变压器进行了工程设计和研究,并对输出电压纹波和逆变器输出直流分量等运行特性进行了分析研究。通过调研对比决定采用单级逆变型直流高压电源方案作为加速器高压电源的整体方案,主要包括:12脉波晶闸管整流器、直流母线、三相三电平逆变器、隔离升压变压器、高压不控整流器和高压滤波器;分析影响电源性能的参数,研究确定了低压侧直流母线电压和逆变频率这两个关键参数分别为Vdc=5000V、finv=150Hz;对电源各组成环节进行了研究,通过理论分析和数值计算,确定了各环节的方案和基本参数;利用Simulink软件搭建了电路仿真模型,对电源不同工况进行了仿真分析和研究,验证了电源方案设计的合理性。以相桥臂单元为重点,对基于压接型IEGT的大功率NPC三电平逆变器进行了设计和研究。针对三电平应用场合,对IEGT和IGCT进行了大量的单管测试,明确了器件特性;基于单管测试的结果,完成了三电平相桥臂单元的设计工作,通过仿真分析等手段对电、磁、热设计的可靠性进行了研究和验证。研制了一相NPC三电平桥臂,并提出了一种四管动作双脉冲测试法对所设计的相桥臂进行测试,验证了桥臂设计的可靠性。基于本文的研究和设计,样机加速器高压电源的故障关断时间可以降低到100μs内,较ITER同类参数（150μs）有很大的改善。对隔离升压变压器进行了设计和研究。该隔离升压变压器是国内首台非工频的高压大功率方波变压器,本文总结整理了其特殊需求,并给出了针对性的解决方案;以铁芯和绕组为重点,完成了变压器的主体电磁结构设计;利用数值计算和有限元仿真手段对隔离升压变压器的漏磁场及其引起的损耗和温升进行了研究计算,验证隔离升压变压器的热可靠性;通过有限元仿真对隔离升压变压器的主、纵绝缘进行了研究计算,验证了设计的可靠性。对关乎加速器电源性能与安全的输出电压纹波和逆变器输出直流分量进行了研究。通过仿真、理论分析等手段明确了电源的输出电压及其纹波特性,发现了限制输出电压纹波的条件,提出了一种纹波限制措施;研究了逆变器输出直流分量产生的原因、造成的影响和精确提取直流分量的方法,提出了一种适用于CFETR N-NBI样机加速器高压电源的直流分量控制策略;通过电路仿真和小功率原理样机实验分别对输出电压纹波特性的分析和控制以及直流分量的控制进行了验证。本文的设计和研究工作为CFETR N-NBI样机加速器高压电源的研制奠定了坚实的基础,对同类逆变型直流高压电源的设计、研制和运行也具有一定的参考价值。
董烨[6]（2019）在《二次电子倍增抑制及增强的理论与数值模拟研究》文中提出本论文主要围绕脉冲功率技术中二次电子倍增的增强及抑制问题,开展了理论与数值模拟研究。增强与抑制互为问题的正反面,但二者均涉及二次电子倍增物理过程,这方面又存在共性。二次电子倍增的增强研究方面,本论文主要利用介质单边二次电子倍增,探索其有效增强方式,研究设计了一种新型强流密度二次电子倍增阴极二极管。二次电子倍增的抑制研究方面,本论文主要研究了加速器射频腔建场过程中金属双边二次电子倍增的有效抑制方法。本论文主要内容如下:在强流密度电子束产生方面,爆炸发射虽然可以产生很高的发射电流密度,但是等离子体膨胀、表面烧蚀等因素导致阴极寿命短、性能下降快。场致发射虽然也可以实现较高的电流密度发射,但是其阴极有效发射面积小,总电流不大。二次电子发射具备较大的发展和应用潜力,但射频场驱动的微脉冲电子枪结构及控制复杂并不适用于高功率微波源。如何有效提高阴极发射电流密度、延长工作寿命,是高功率微波业界迫切需要解决的核心问题。本论文提出了一种可产生轴向环形束的新型强流密度二次电子倍增阴极二极管,通过利用三相点、场致发射与二次电子倍增相结合以及有效增强二次电子倍增的方式实现强发射电流密度。论文给出了该新型强流密度二次电子倍增阴极二极管的几何构型（包括:脉冲功率源引入结构、阴极端头、阳极外筒、二次电子倍增介质阴极以及三相点场致发射阵列）和作用原理（利用径向电场发射、轴向电场加速以及轴向磁场偏转效应）。动力学理论研究给出了二次电子运动轨迹、渡越时间、碰撞能量、工作区间范围等关键物理量,蒙特卡罗数值模拟验证了动力学理论结果的正确性和可靠性。研究证明了该新型二次电子倍增阴极实现二次电子倍增产生、维持和动态可控的可行性。理论粗估证明了该新型二次电子倍增阴极发射电流密度可达kA/cm2水平,具备强发射电流密度特性,给出了其设计依据和步骤。本论文利用粒子模拟和蒙特卡罗碰撞方法,编制了二维三速粒子模拟（2D3V PIC）程序,对新型二次电子倍增阴极表面二次电子倍增产生、发展、饱和的全物理过程进行了粒子模拟研究。粒子模拟所得的二次电子运动轨迹、渡越时间、碰撞能量与动力学理论及蒙特卡罗模拟结果一致。研究分析了电荷沉积引发的二次电子倍增饱和效应,粒子模拟给出了该新型二次电子倍增阴极发射电流密度水平,与理论粗估结果相吻合。为进一步提升阴极发射性能,采用自编2D3V PIC程序,探索了二次电子倍增的有效增强方式。研究发现了同步增加轴向电场、径向电场以及轴向磁场的方式可有效提升阴极发射电流密度的重要结论。采用蒙特卡罗碰撞粒子模拟方法,编制了二维三速蒙特卡罗碰撞粒子模拟（2D3V PIC-MCC）程序,对沿面闪络引发的阴极性能变化和恶化因素进行了定量评估。在加速器射频腔动态建场方面,腔体内射频电压的建立是一个从无到有、逐步增长的过程,超导腔需要很长的场加载时间。加速器建场过程中,若存在较为严重二次电子倍增现象,不仅会限制腔内储能,影响共振频率,甚至会导致建场失败。目前大多数研究工作为实验研究,虽然都发现了高Q值腔体内的二次电子倍增现象会引发射频场建场的失败,但未能对其物理过程及作用机理形成深入认识。与此同时,欠缺有效的二次电子倍增抑制手段。本论文采用蒙特卡罗抽样与粒子模拟相结合的方法,编制了一维三速粒子模拟（1D3V PIC）程序,数值研究了腔体双边二次电子倍增高阶模式瞬态特性以及材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增的影响。研究表明:高阶（三阶）模式双边二次电子倍增的放电功率大约只有一阶模式1%的水平,支撑了加速器射频腔动态建场过程中高阶模式影响较小的重要判断。低二次电子产额材料的二次电子倍增饱和特性,由空间电荷场的“去群聚”效应和“反场”效应同时决定。而高二次电子产额材料的二次电子倍增饱和特性,则主要由发射面附近的强空间电荷场“反场”效应决定,饱和时呈现单边二次电子倍增分布的趋势。本论文建立了加速器射频腔动态建场等效电路与腔体双边二次电子倍增的耦合物理模型,编制了等效电路与一维三速粒子模拟（1D3V PIC）耦合程序,开展了二次电子倍增对射频腔动态建场影响过程及其抑制方法的数值模拟研究。研究表明:腔体Q值越高或二次电子发射面积越大,射频腔建场成功的概率越低。降低腔体背景种子电子发射密度有利于减少参与二次电子倍增的初始电子总数,从而增加射频腔建场成功的概率。通过提升加载腔体电压幅值,缩短驱动源上升时间以及使腔体略微失谐的方法,均可以达到缩短二次电子倍增作用时间间隔的效果,对抑制射频腔建场中的二次电子倍增形成过程有积极作用,可增加射频腔建场成功概率。
李强[7]（2018）在《一种新型静电加速器输电系统的研究及其仿真分析》文中认为静电加速器的全称是带电粒子加速器,顾名思义,它是利用电磁场加速带电粒子的装置。静电加速器带电粒子包括电子、质子、α粒子和各种离子。加速器将电磁能转移给带电粒子,使带电粒子加速度加快,能量增高,广泛用用于核物理试验中。传统的静电加速器主要采用输电带和输电梯的方式进行电荷的输送,其本质都是带传动,容易受到外界湿度和温度的影响,而且其传动的稳定性较低。由于链传动能够在高温重载下进行传动,而且其传动效率高,不发生打滑等现象,决定采用链传动的形式进行电荷的输送。在阅读大量相关文献的基础上,本文分析和总结了静电加速器和链传动在国内、外发展和应用现状,研究了静电加速器的工作原理和链传动的传动机理,明确了今后的工作目标和工作方向。根据所给的基本参数,对输电链条进行计算和初步设计。通过材料比对,选取合适的绝缘子材料;对输电链条感应电极、短路电流等一些关键组件进行设计计算;通过计算和查阅机械设计手册,设计合适的链条结构形式和链轮参数;对链传动受力和运动特性进行分析和计算,确定基本运动参数,为下一步仿真提供数据基础;最后利用CATIA、CAD等软件进行三维建模和二维图纸输出,根据仿真优化结果,修改所设计参数,然后进行加工制作。将在CATIA软件中建立的三维模型导入RECURDYN软件中,进行链轮柔性体生成,然后进行平面副、旋转副、驱动力等约束的添加,然后对整个链系统在施加一定载荷,然后进行多体动力学仿真分析。根据仿真数据,分析系统在位移波动量、速度以及力的运动特性。然后利用有限元分析软件ANSYS WORKBENCH对输电系统主要零部件进行动、静力学分析,得到各阶固有频率和相应的阵型和相应的等效应力、应变分布云图,通过仿真结果,验证系统能否发生共振和是否满足材料的强度与刚度要求。最后进行试验验证分析。选取合适的电动机,设计合适的机架尺寸,进行试验平台搭建。利用直流稳流电源做感应电极,进行运转;通过激光位移传感器,测量输电链条在运动过程中的抖动量,也可以测量输电链条在运动过程的速度波动。通过电流表测量上下行的电流,算出其输电效率;通过测量高压电极随着时间的变化,可以计算出其输电本领;通过测量输电链条工作的时间与其长度的关系,计算它的伸长量和伸长率。
霍昆[8]（2018）在《KMAX装置中减速场分析仪研究和尘埃加速器系统的设计》文中认为KMAX装置是位于中国科学技术大学的一种新型串节磁镜装置,本论文的内容包括:（1）在该装置上开展的一些诊断工具搭建、运行和研究,例如光学诊断和减速场分析仪诊断;（2）尘埃加速器高压电源的研制、测量和尘埃加速器尘埃源的设计加工和测试。作为大型等离子体研究平台,该装置已经开展离子回旋加热和场反位形等实验;为了对等离子体数据测量,已经陆续安装静电探针、马赫探针、APD光学诊断、减速场分析仪和干涉仪等。其中减速场分析仪（RFA）主要用于离子温度测量。栅网总透射率越大RFA数据的精确性越高,而总透射率和栅网结构有密切联系。通过有限元软件COMSOL对RFA建立基于KMAX装置物理环境的三维模型,分析总透射率和栅网结构透镜效应、网格、栅网分布和离子入射角的关系。透镜效应对于不同能量离子束的影响不同,栅网网格形状、单栅网光学透射率、栅网分布均对总透射率有影响,有效入射角度范围00-100,仿真结果对RFA设计有一定的参考意义。在RFA的实际应用中,快扫带来的电容效应以及仪表放大器频率响应无法达到要求,被迫将扫描方式改为静态扫描确保数据的可靠性。高压电源作为尘埃加速器的重要部分,串激倍压电源拥有结构简单、体积较小便携性强等特点。针对CW倍压电路先通过理论计算和Simulink仿真检测电路方案可行性和优化,再通过COMSOL验证结构的合理性,最后通过导热绝缘胶泥新型绝缘方式实现120kV电压的绝缘,并且自主提出一种100kV以上电压的可视化测量方案。对整个高压系统不仅熟悉了理论基础也积累了高压电源的研制、测量经验。尘埃加速器系统设计和测试解决了快速高真空获取和高真空室内20kV高压馈入,测试表明优化后的尘埃源有效减弱爬电、打火等问题;定性分析了尘埃源内尘埃运动轨迹特点;实验初步表明低能尘埃加速器系统能够实现尘埃带电以及带电尘埃加速飞出;最后分析了带电尘埃测量电感应法的原理,为下一步的测量做好了开端。
李麒成[9]（2016）在《强流高压加速器束流性能提升的研究》文中指出在强流高压电子加速器中,电子束流性能的好坏对加速器能否正常地运行工作起了决定性作用。为使从电子枪引出的电子束流在加速管的传输中能够得到正常地聚焦、加速和引出,对加速环境提出了很高的要求。加速器中出现束流的问题,例如束流稳定、聚焦、空间电荷效应等,大多是和加速管的设计有关,所以解决束流问题的关键在于研究加速管物理设计。然而在强流高压加速器中,加速管涉及的物理现象和问题种类繁多,如全电压效应、电子负载现象、真空击穿等。加速管出现的问题错综复杂,一个问题的出现会带来另一个问题产生。为了改善大功率强流高压加速器的束流传输过程,提升加速器的性能,本课题研究的内容将围绕电子高压加速器的加速管的优化设计展开。该研究内容从加速管的加速电场出发。与以往的均匀电场加速不同,论文研究了采用透镜电场加速的方法。利用透镜电场加速可以有效地抑制电子负载现象,从而提高了电子束流加速传输的稳定性。理论分析和模拟仿真都给出了透镜电场在这方面有效性的证明。为研究加速管对束流的聚焦能力,搭建了加速管实验平台。通过实验测量并获取到电子束流在截面方向的信息。通过截面重构方法,得到束流密度分布,进而分析透镜电场加速管的聚焦性,证实了透镜电场比均匀电场具有更好的聚焦性。在低能段抑制空间电荷效应上,我们从理论上分析了电子在加速管中的运动状态及受力情况,并且给出了在加速管低能段采用透镜电场加速的方法,能够更好的抑制电子束的空间电荷效应。
张天鹏[10]（2007）在《静电加速器控制系统的完善和质子的生物效应》文中进行了进一步梳理静电加速器是材料改性、核医学、原子核物理、生物物理和离子束与物质相互作用等科研工作的重要实验工具，其体积庞大、结构复杂、集多种学科技术于一体。静电加速器原有控制系统采用机械手动控制方式，控制精度低、操作不便，有必要对其进行现代化改造。采用最新的PLC控制技术、网络通信技术以及红外与光纤传输技术，研制了一套自动化程度较高的控制系统。该系统用计算机控制和管理加速器，动态跟踪加速器的运行过程。其中一台微机负责数据的采集与记录，另两台微机分别负责在控制台和现场控制调节设备各参数，它们通过一台服务器与下位机（PLC）实现信息的交换。服务器与上、下位机之间通过OPC标准实现连接。在上位机的监控画面中，可实时显示加速器运行状况并对实验过程进行报警管理。由于加速器钢桶内复杂的电磁环境，控制系统在工作中将受到高压电场、高频磁场以及高压电极与钢桶之间径向和轴向放电的影响，从而无法正常运行，甚至造成控制设备的损害。为了提高控制系统的抗干扰能力，分别采取了电气隔离、稳压、屏蔽、接地、合理布线、增加旁路电路等硬件措施以及“软限位”、时间延时器等软件措施，妥善地解决了控制系统的电磁兼容性问题，避免了控制系统因受到干扰而出现控制失灵、参数错位等现象的发生，保证了静电加速器的运行安全、高效、便捷、准确。加速器工作时需要一定的真空度，稳定、合适的真空度对加速器来说非常重要。为了能够检测和控制加速器真空度，设计和调试了一套静电加速器真空度检测和控制装置。该装置能够在计算机上显示加速器当前的真空度，可以设置合适的安全气压；当真空腔体内气压大于安全气压时，它可以自动关闭加速器电源，从而保证静电加速器安全可靠地工作。为了更好地了解静电加速器质子束在生物介质中的作用，利用Geant4程序模拟了能量为1MeV和2MeV的质子在肿瘤细胞中的径迹结构，分别计算了它们在细胞核中的能量沉积，在细胞核内沉积的能量分别约为0.227MeV和0.179MeV。
二、提高静电加速器击穿电压方法分析（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、提高静电加速器击穿电压方法分析（论文提纲范文）
（1）我国加速器质谱仪器技术在国际上的地位（论文提纲范文）
| 1 加速器质谱(AMS)的历史与现状 |
| 1.1 AMS的发明 |
| 1.2 AMS仪器的发展 |
| 1.3 AMS仪器的新技术与发展方向 |
| 2 我国AMS仪器技术的发展 |
| 2.1 第一台AMS系统 |
| 2.2 AMS小型化技术 |
| 2.3 基于多电荷态电离器的AMS |
| 3 超强电离质谱学原理与仪器技术 |
| 3.1 超强电离质谱学原理 |
| 3.2 结构、特点与技术指标 |
| 3.3 主要特点 |
| 3.4 原理验证实验 |
| 3.5 ECR-AMS的应用 |
| 4 结束语 |
（3）HIAF SRing电子冷却中电子束的产生、传输与收集（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 概述 |
| 1.2 HIAF装置介绍 |
| 1.3 电子冷却介绍 |
| 1.4 电子冷却原理及用途 |
| 1.5 电子冷却装置的基本结构介绍 |
| 1.6 HIAF SRing电子冷却介绍 |
| 1.7 论文内容安排及创新点 |
| 1.7.1 论文内容安排 |
| 1.7.2 论文创新点 |
| 第2章 HIAF SRing电子冷却电子枪的设计 |
| 2.1 概述 |
| 2.2 热电子发射理论 |
| 2.3 皮尔斯电子枪 |
| 2.4 HIAF-SRing电子冷却电子枪结构设计 |
| 2.4.1 成型极的设计 |
| 2.4.2 栅极设计 |
| 2.4.3 阴极曲率半径的选择 |
| 2.4.4 阳极设计 |
| 2.5 电子束电流密度分布及导流系数 |
| 2.6 枪区电子束温度增长模拟计算 |
| 2.7 静电场仿真 |
| 2.8 本章小结 |
| 第3章 加速管的设计 |
| 3.1 概述 |
| 3.2 加速管的结构设计 |
| 3.3 电极形状的选择 |
| 3.4 加速电极材料的选择 |
| 3.5 加速管静电仿真与绝缘设计 |
| 3.5.1 加速管静电场仿真 |
| 3.5.2 枪区静电场仿真 |
| 3.5.3 绝缘气体压力设计 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 电子在弯曲螺线管中的运动模拟 |
| 4.1 概述 |
| 4.2 电子束运动模拟计算方法介绍 |
| 4.2.1 电子跟踪方法 |
| 4.2.2 空间电荷场的考虑 |
| 4.3 弯曲螺线管里的电磁场分布及运动分析 |
| 4.4 弯曲螺线管中电子束运动数值跟踪 |
| 4.4.1 离心漂移不补偿的情况 |
| 4.4.2 补偿磁场的要求 |
| 4.4.3 补偿电场的要求 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 电子束传输过程温度控制 |
| 5.1 概述 |
| 5.2 加速管末端横向电场导致的电子束温度增长 |
| 5.3 电子束的绝热展开 |
| 5.3.1 绝热展开原理——磁矩守恒 |
| 5.3.2 HIAF SRing电子冷却绝热展开设计 |
| 5.4 螺线管纵向磁场误差对电子束温度的影响 |
| 5.4.1 纵向磁场扰动影响的计算 |
| 5.4.2 纵向磁场扰动的补偿方法 |
| 5.5 .弯曲螺线管中静电场补偿时电子束温度评估 |
| 5.6 电场补偿方案电子束温度控制探索 |
| 5.7 弯曲螺线管中磁场补偿时电子束温度评估 |
| 5.8 本章小结 |
| 第6章 电子束的收集 |
| 6.1 概述 |
| 6.2 收集器基本结构介绍 |
| 6.3 收集器中电子束运动跟踪方法 |
| 6.4 电子与收集器相互作用 |
| 6.4.1 弹性散射过程 |
| 6.4.2 电子的非弹性散射 |
| 6.4.3 蒙特卡洛模拟步骤 |
| 6.5 蒙特卡洛程序正确性验证 |
| 6.5.1 正入射的情形 |
| 6.5.2 斜入射的情形 |
| 6.6 HIAF SRing电子冷却收集器优化 |
| 6.6.1 磁镜场的优化 |
| 6.6.2 收集器内表面结构优化 |
| 6.6.3 收集器电场参数的选择 |
| 6.6.4 收集器材料选择 |
| 6.7 本章小结 |
| 第7章 电子枪、收集器的离线测试 |
| 7.1 测试平台介绍 |
| 7.2 阴极激活与导流系数测量 |
| 7.3 电子束剖面测量 |
| 7.4 收集器收集效率测量 |
| 7.5 .本章小结 |
| 第8章 总结与展望 |
| 8.1 总结 |
| 8.2 .展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（4）MOS控制晶闸管的位移损伤机理与加固关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 栅控晶闸管产品的现状 |
| 1.2.1 国外产品情况 |
| 1.2.2 国内产品情况 |
| 1.3 辐照效应的研究历史与现状 |
| 1.3.1 典型辐射环境 |
| 1.3.2 国外研究情况 |
| 1.3.3 国内研究情况 |
| 1.3.4 栅控晶闸管的辐射效应研究 |
| 1.4 爆炸箔起爆器的现状 |
| 1.5 现有问题和本文贡献 |
| 1.6 本论文的结构安排 |
| 第二章 AS-MCT的器件物理分析 |
| 2.1 器件结构与基本工作原理 |
| 2.2 不同结构MCT电学性能的对比 |
| 2.3 器件的关键电学特性 |
| 2.3.1 转移特性 |
| 2.3.2 正向传输特性 |
| 2.3.3 正向阻断特性 |
| 2.3.4 反向传输特性 |
| 2.3.5 电流上升速率 |
| 2.4 实验样品的结构剖析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 辐射效应及电容脉冲放电电路的理论和装置 |
| 3.1 位移辐射效应研究 |
| 3.1.1 缺陷动力学 |
| 3.1.2 电参数损伤 |
| 3.2 电离辐射效应研究 |
| 3.2.1 缺陷动力学 |
| 3.2.2 电参数损伤 |
| 3.3 电容脉冲放电原理 |
| 3.4 辐照实验装置 |
| 3.4.1 中子辐照装置 |
| 3.4.2 电离辐照装置 |
| 3.5 测试设备和测试方法 |
| 3.5.1 电压-电流测试 |
| 3.5.2 电容-电压测试 |
| 3.5.3 深能级瞬态谱测试 |
| 3.5.4 脉冲放电测试 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 AS-MCT的中子位移损伤效应 |
| 4.1 辐照实验过程 |
| 4.2 基区缓变掺杂三极管增益损伤模型 |
| 4.2.1 模型建立 |
| 4.2.2 实验验证 |
| 4.3 转移特性损伤效应 |
| 4.3.1 辐照前 |
| 4.3.2 实验结果与效应分析 |
| 4.4 正向传输特性损伤效应 |
| 4.4.1 辐照前 |
| 4.4.2 实验结果与效应分析 |
| 4.4.3 触发电流位移损伤模型 |
| 4.5 正向阻断特性损伤效应 |
| 4.5.1 辐照前 |
| 4.5.2 实验结果与效应分析 |
| 4.5.3 阳极漏电损伤模型 |
| 4.5.4 击穿电压损伤模型 |
| 4.6 脉冲放电特性损伤效应 |
| 4.6.1 辐照前充电过程分析 |
| 4.6.2 辐照前放电过程分析 |
| 4.6.3 等效漏电阻 |
| 4.6.4 充电过程的损伤效应 |
| 4.6.5 放电过程的损伤效应 |
| 4.7 材料参数损伤的表征 |
| 4.7.1 掺杂浓度 |
| 4.7.2 位移缺陷 |
| 4.8 本章小结 |
| 第五章 AS-MCT的电离损伤效应 |
| 5.1 辐照实验过程 |
| 5.2 转移特性损伤损伤效应 |
| 5.2.1 实验结果 |
| 5.2.2 损伤效应分析 |
| 5.2.3 电离缺陷提取 |
| 5.3 正向传输特性损伤 |
| 5.4 正向阻断特性损伤 |
| 5.4.1 实验结果 |
| 5.4.2 漏电 |
| 5.4.3 击穿 |
| 5.5 脉冲放电特性损伤效应 |
| 5.5.1 等效漏电电阻 |
| 5.5.2 充电过程的损伤 |
| 5.5.3 放电过程的损伤 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 AS-MCT的抗辐射加固关键技术 |
| 6.1 抗位移辐射加固 |
| 6.1.1 材料选择 |
| 6.1.2 加固结构 |
| 6.1.3 参数分析与优化 |
| 6.1.4 工艺实施 |
| 6.1.5 加固效果 |
| 6.2 抗电离辐射加固 |
| 6.2.1 加固结构 |
| 6.2.2 工艺实施 |
| 6.2.3 加固效果 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 全文总结 |
| 7.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（5）CFETR N-NBI样机加速器高压电源设计与关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 NBI系统简介 |
| 1.3 研究现状 |
| 1.4 研究难点与关键技术 |
| 1.5 本文主要研究内容 |
| 2 CFETR N-NBI样机加速器高压电源方案设计 |
| 2.1 概述 |
| 2.2 电源关键参数选择 |
| 2.3 电源方案设计 |
| 2.4 电源仿真验证 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 逆变器设计 |
| 3.1 概述 |
| 3.2 主开关管选择 |
| 3.3 IEGT单管测试 |
| 3.4 逆变器结构设计 |
| 3.5 逆变器热分析 |
| 3.6 桥臂测试 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 隔离升压变压器设计 |
| 4.1 概述 |
| 4.2 电磁设计 |
| 4.3 漏磁场及温升验证 |
| 4.4 主纵绝缘验证 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 运行特性分析 |
| 5.1 概述 |
| 5.2 电源输出电压纹波特性分析 |
| 5.3 逆变器输出直流分量分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 未来工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 攻读学位期间发表的论文目录 |
（6）二次电子倍增抑制及增强的理论与数值模拟研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 论文研究背景 |
| 1.1.1 强流密度电子束产生的研究现状 |
| 1.1.2 射频腔二次电子倍增的研究现状 |
| 1.2 论文研究意义 |
| 1.2.1 新型强流密度二次电子倍增阴极探索研究 |
| 1.2.2 射频腔动态建场过程二次电子倍增抑制研究 |
| 1.3 论文研究内容 |
| 第2章 新型二次电子倍增阴极动力学可行性与蒙特卡罗模拟验证研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 新型二次电子倍增阴极工作原理及构型设计 |
| 2.2.1 工作原理 |
| 2.2.2 构型设计 |
| 2.3 新型二次电子倍增阴极实现二次电子倍增的动力学可行性 |
| 2.3.1 动力学方程 |
| 2.3.2 电子渡越时间和碰撞能量 |
| 2.3.3 二次电子运动轨迹及状态 |
| 2.3.4 二次电子发射模型 |
| 2.3.5 二次电子倍增阴极工作区间的理论预估 |
| 2.3.6 二次电子运动特征参数的理论粗估 |
| 2.4 新型二次电子倍增阴极的蒙特卡罗模拟验证研究 |
| 2.4.1 粒子追迹法 |
| 2.4.2 二次电子发射的蒙特卡罗抽样模型 |
| 2.4.3 蒙特卡罗模拟结果分析讨论 |
| 2.4.4 基于蒙特卡罗模拟的二次电子倍增阴极工作区间预估 |
| 2.5 新型二次电子倍增阴极发射能力预估及设计依据 |
| 2.5.1 二次电子倍增饱和效应 |
| 2.5.2 空间电荷场对电子运动状态的影响 |
| 2.5.3 阴极发射电流密度预估 |
| 2.5.4 设计步骤及依据讨论 |
| 2.6 小结 |
| 第3章 新型二次电子倍增阴极的粒子模拟及性能提升与恶化因素研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 新型二次电子倍增阴极的粒子模拟研究 |
| 3.2.1 计及空间电荷效应的动力学模型 |
| 3.2.2 材料二次电子发射模型 |
| 3.2.3 电子位置受力及电荷密度计算方法 |
| 3.2.4 不同区域泊松方程的离散格式 |
| 3.2.5 基于红黑排序的泊松方程超松弛迭代求解方法 |
| 3.2.6 静电粒子模拟程序计算流程 |
| 3.2.7 阴极表面二次电子倍增过程的粒子模拟 |
| 3.3 二次电子倍增有效增强方式及阴极性能提升方法探索研究 |
| 3.3.1 介质轴向长度对阴极发射性能的影响 |
| 3.3.2 材料二次电子产额对阴极发射性能的影响 |
| 3.3.3 外加磁场对阴极发射性能的影响 |
| 3.3.4 轴向电场对阴极发射性能的影响 |
| 3.3.5 法向电场对阴极发射性能的影响 |
| 3.3.6 同步调整轴向和法向电场对阴极发射性能的影响 |
| 3.3.7 同步调整外加电场与磁场对阴极发射性能的影响 |
| 3.4 新型二次电子倍增阴极沿面闪络对性能影响评估 |
| 3.4.1 阴极表面放气引发碰撞电离的物理模型 |
| 3.4.2 静电蒙特卡罗碰撞粒子模拟方法 |
| 3.4.3 电子与气体分子碰撞模型 |
| 3.4.4 离子与气体分子碰撞模型 |
| 3.4.5 电子与氢气分子的碰撞截面数据 |
| 3.4.6 低放气率沿面闪络过程对阴极性能的影响 |
| 3.4.7 高放气率沿面闪络过程对阴极性能的影响 |
| 3.5 小结 |
| 第4章 二次电子倍增对射频腔建场过程影响及其抑制方法的理论研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 射频腔双边二次电子倍增的解析理论 |
| 4.2.1 动力学方程 |
| 4.2.2 相位聚焦条件 |
| 4.2.3 碰撞电势分布 |
| 4.2.4 二次电子倍增敏感区间预估 |
| 4.2.5 考虑材料二次电子产额特性的敏感区间预估 |
| 4.3 射频腔双边二次电子倍增瞬态特性的粒子模拟研究 |
| 4.3.1 简化双平板腔体物理模型 |
| 4.3.2 双边二次电子倍增的粒子模拟方法 |
| 4.3.3 材料二次电子发射模型 |
| 4.3.4 低阶与高阶模式二次电子倍增瞬态特性的粒子模拟 |
| 4.3.5 材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增影响的粒子模拟 |
| 4.4 二次电子倍增对射频腔建场过程影响的自洽数值模拟研究 |
| 4.4.1 耦合模型建立方法 |
| 4.4.2 描述射频腔动态建场过程的等效电路方程 |
| 4.4.3 自洽求解二次电子运动的粒子模拟方法 |
| 4.4.4 不存在二次电子倍增情况下的射频腔建场过程 |
| 4.4.5 二次电子倍增对射频腔建场过程的影响 |
| 4.5 射频腔建场过程中二次电子倍增的抑制方法研究 |
| 4.5.1 降低背景种子电流发射密度 |
| 4.5.2 提升加载腔体电压幅值 |
| 4.5.3 缩短驱动源上升时间 |
| 4.5.4 腔体略微失谐 |
| 4.6 小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 论文工作总结 |
| 5.2 后续研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及参与的科研项目 |
（7）一种新型静电加速器输电系统的研究及其仿真分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 研究背景与发展现状 |
| 1.2.1 静电加速器的研究背景与发展现状 |
| 1.2.2 链传动的研究背景与发展现状 |
| 1.3 静电加速器工作原理 |
| 1.4 本文研究的主要内容 |
| 第2章 静电加速器输电系统的结构设计及相关理论分析 |
| 2.1 输电带与输电梯 |
| 2.1.1 输电带介绍 |
| 2.1.2 输电梯工作原理 |
| 2.1.3 国产输电梯的研制 |
| 2.1.4 HI-13静电加速器的贡献 |
| 2.2 输电链的设计与计算 |
| 2.2.1 输电链条的研制 |
| 2.2.2 输电链条重要组件的设计与计算 |
| 2.2.2.1 额定功率的计算 |
| 2.2.2.2 感应电极板的设计 |
| 2.2.2.3 短路电流计算 |
| 2.2.2.4 尼龙绝缘子的设计与材料的选取 |
| 2.2.3 链条与链轮的设计 |
| 2.2.3.1 输电链条的设计 |
| 2.2.3.2 输电链轮的设计 |
| 2.3 链传动受力分析与运动特性 |
| 2.3.1 链传动受力分析 |
| 2.3.2 链传动运动特性 |
| 2.3.2.1 多边形效应 |
| 2.3.2.2 链传动的动载荷 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 静电加速器动力学仿真分析 |
| 3.1 基于RECURDYN多体动力学模型建立 |
| 3.1.1 RECURDYN软件的简介 |
| 3.1.2 仿真分析准备工作 |
| 3.1.2.1 三维模型建立与导入 |
| 3.1.2.2 链轮柔性体模型的建立与生成 |
| 3.1.2.3 添加约束和驱动载荷 |
| 3.2 仿真结果分析 |
| 3.2.1 位移波动量分析 |
| 3.2.1.1 紧边波动量分析 |
| 3.2.1.2 主动链轮横向位移量分析 |
| 3.2.2 速度分析 |
| 3.2.2.1 速度分析 |
| 3.2.2.2 从动链轮角速度波动分析 |
| 3.2.3 力分析 |
| 3.2.3.1 啮入冲击力 |
| 3.2.3.2 链节间张力 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 静电加速器静力学仿真分析 |
| 4.1 有限元系统的模态分析 |
| 4.1.1 链系统自振频率与阵型的求解 |
| 4.1.2 链系统固有频率仿真结果分析 |
| 4.1.3 机架固有频率仿真结果分析 |
| 4.2 有限元静力学分析 |
| 4.2.1 链轮的有限元仿真与优化 |
| 4.2.2 链轮轴的静力学仿真分析 |
| 4.2.3 内、外链节有限元静力学分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 静电加速器实验分析 |
| 5.1 试验平台的搭建 |
| 5.1.1 静电加速器输电系统的设计 |
| 5.1.2 静电加速器输电系统的装配 |
| 5.2 试验装置与试验方法 |
| 5.3 试验结果及分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及科研成果 |
| 致谢 |
（8）KMAX装置中减速场分析仪研究和尘埃加速器系统的设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 KMAX串节磁镜装置介绍 |
| 1.2 KMAX装置诊断介绍 |
| 1.2.1 KMAX装置中诊断的应用和发展 |
| 1.2.2 光学诊断的部分工作内容 |
| 1.3 KMAX装置中减速场分析仪的研究 |
| 1.3.1 减速场分析仪介绍 |
| 1.3.2 减速场分析仪透射率与栅网结构关系的研究 |
| 1.3.2.1 COMSOL Multiphysics软件介绍 |
| 1.3.2.2 减速场分析仪三维建模仿真 |
| 1.3.2.3 减速场分析仪仿真结果分析 |
| 1.3.2.3.1 电透镜效应对离子束透射率的影响 |
| 1.3.2.3.2 栅网网格对RFA总透射率的影响 |
| 1.3.2.3.3 栅网分布对RFA总透射率的影响 |
| 1.3.2.3.4 离子入射角度对总透射率的影响 |
| 1.3.3 减速场分析仪在KMAX装置上的应用 |
| 1.3.4 本节小结 |
| 1.4 加速器的介绍和应用 |
| 1.4.1 加速器系统介绍 |
| 1.4.2 尘埃加速器的发展和应用 |
| 1.5 选题背景和本学位论文的主要工作 |
| 第二章 尘埃加速器电源的研制和测量 |
| 2.1 直流高压发生器的分类和分析 |
| 2.1.1 静电起电机 |
| 2.1.2 信克尔倍压发生器 |
| 2.1.3 CW倍压发生器 |
| 2.2 高压发生器的仿真和优化 |
| 2.2.1 40kV串激倍压电源的理论和仿真 |
| 2.2.2 120kV串激倍压电源的仿真和优化 |
| 2.3 串激倍压电源的实验和测量 |
| 2.3.1 40kV高压直流电源的实验和测量 |
| 2.3.2 120kV高压直流电源的实验和测量 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 尘埃加速器系统的设计与研究 |
| 3.1 尘埃加速器背景介绍 |
| 3.1.1 尘埃加速在国内外的实验现状 |
| 3.1.2 尘埃加速在国内外的实现手段 |
| 3.2 尘埃加速器的设计和实验 |
| 3.2.1 尘埃源的设计和加工 |
| 3.2.2 低能尘埃加速器系统介绍和测试 |
| 3.2.3 电感应法测试带电尘埃原理 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 总结以及未来工作的研究方向 |
| 4.1 工作总结 |
| 4.2 未来展望 |
| 参考文献 |
| 附录1 RFA和APD数据推动和处理程序 |
| 附录2 高压电源波形数据采集Labview读取程序 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（9）强流高压加速器束流性能提升的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 引言 |
| 1.1 电子辐照技术 |
| 1.1.1 辐照技术的发展 |
| 1.1.2 辐照加工产业国内外现状 |
| 1.2 电子辐照加速器 |
| 1.2.1 电子辐照加速器类型 |
| 1.2.2 高频高压加速器的基本介绍 |
| 1.3 国内外工业用电子加速器发展 |
| 1.3.1 我国工业用电子加速器发展现状及趋势 |
| 1.3.2 国外工业用电子加速器发展现状及趋势 |
| 第二章 加速管的介绍 |
| 2.1 加速管结构 |
| 2.1.1 加速电极 |
| 2.1.2 陶瓷环 |
| 2.2 加速管几个重要参数 |
| 2.2.1 加速管真空度 |
| 2.2.2 电场强度 |
| 2.2.3 高气压 |
| 第三章 加速管内的放电击穿 |
| 3.1 加速管真空击穿特点 |
| 3.2 几种真空击穿类型 |
| 3.2.1 场致发射 |
| 3.2.2 微放电 |
| 3.2.3 微颗粒撞击 |
| 3.2.4 绝缘体表面击穿 |
| 3.3 电子负载现象——一种不完全击穿 |
| 3.4 抑制电子负载现象方法 |
| 3.4.1 采用倾斜电场加速管 |
| 3.4.2 采用螺旋斜场加速管 |
| 3.4.3 采用磁抑制加速管 |
| 3.4.4 采用小孔径加速管 |
| 3.4.5 其他方法 |
| 第四章 新型抑制电子负载方法—透镜电场 |
| 4.1 透镜电场抑制电子负载现象 |
| 4.1.1 透镜电场原理介绍 |
| 4.1.2 设计透镜电场加速管 |
| 4.1.3 透镜电场加速管电极电压计算 |
| 4.2 透镜电场抑制电子负载模拟仿真 |
| 4.2.1 电位计算 |
| 4.2.2 建模仿真 |
| 4.2.3 结果分析 |
| 第五章 透镜电场聚焦分析及实验 |
| 5.1 透镜电场聚焦 |
| 5.1.1 聚焦分析 |
| 5.2 透镜电场聚焦实验 |
| 5.2.1 实验方案设计 |
| 5.2.2 实验测量方法 |
| 5.2.3 实验测量仪器 |
| 5.3 实验结果 |
| 5.3.1 实验图像获取及分析 |
| 5.3.2 实验数据获取及分析 |
| 5.3.3 聚焦效果分析 |
| 第六章 透镜电场抑制空间电荷效应 |
| 6.1 空间电荷效应 |
| 6.2 电子流束在加速管中的运动 |
| 6.2.1 轴对称加速电场 |
| 6.2.2 傍轴轨迹方程 |
| 6.3 空间电荷对电子束流的影响 |
| 6.3.1 空间电荷对电子束的作用 |
| 6.3.2 空间电荷限制流 |
| 6.4 强流电子束运动轨迹 |
| 6.4.1 空间电荷效应下的强流电子束运动轨迹 |
| 6.4.2 相对论修正下的强流电子束运动轨迹 |
| 6.5 透镜电场对空间电荷效应的抑制 |
| 第七章 总结与展望 |
| 插图目录 |
| 表格目录 |
| 参考文献 |
| 附录A：实验数据 |
| 附录B：实验数据获取及分析计算MATHCAD脚本 |
| B.1 重构束流密度分布程序 |
| B.2 重构束流密度分布程序（续） |
| 发表论文清单 |
（10）静电加速器控制系统的完善和质子的生物效应（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 前言 |
| 1.1 加速器发展简史 |
| 1.2 加速器的用途 |
| 1.3 静电起电机的工作原理 |
| 1.4 静电加速器的发展简史 |
| 1.4.1 大气型静电加速器 |
| 1.4.2 高压型静电加速器 |
| 1.4.3 串列式静电加速器 |
| 1.5 近期的研究进展 |
| 第二章 静电加速器的组成及其控制系统 |
| 2.1 静电加速器的组成 |
| 2.1.1 真空系统 |
| 2.1.2 电荷输运系统 |
| 2.1.3 高压检测和稳定系统 |
| 2.1.4 离子源系统 |
| 2.2 静电加速器的控制系统 |
| 2.2.1 控制系统网络组态 |
| 2.2.2 控制系统硬件组态 |
| 2.2.3 控制系统的软件设计 |
| 第三章 静电加速器控制系统的完善 |
| 3.1 硬件的抗干扰措施 |
| 3.2 软件的抗干扰设计 |
| 3.2.1 控制程序的抗干扰设计 |
| 3.2.2 对采集信号进行软件滤波 |
| 3.3 加速器真空度的检测与控制 |
| 3.3.1 装置实现 |
| 3.3.2 装置的软件设计 |
| 第四章 静电加速器出射束的生物效应 |
| 4.1 辐射生物效应的理论基础 |
| 4.1.1 基本概念 |
| 4.1.2 质子的生物效应 |
| 4.1.3 质子与水作用 |
| 4.2 质子径迹模拟 |
| 4.2.1 径迹结构的Monte Carlo模拟 |
| 4.2.2 细胞模型 |
| 4.2.3 模拟计算及结果 |
| 第五章 结论和展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 |
四、提高静电加速器击穿电压方法分析（论文参考文献）
- [1]我国加速器质谱仪器技术在国际上的地位[J]. 姜山. 质谱学报, 2021(05)
- [2]电阻式皮安级微电流源技术研究[D]. 梁伟. 哈尔滨工业大学, 2021
- [3]HIAF SRing电子冷却中电子束的产生、传输与收集[D]. 汤梅堂. 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2021(01)
- [4]MOS控制晶闸管的位移损伤机理与加固关键技术研究[D]. 李磊. 电子科技大学, 2020(03)
- [5]CFETR N-NBI样机加速器高压电源设计与关键技术研究[D]. 章雪亮. 华中科技大学, 2019(01)
- [6]二次电子倍增抑制及增强的理论与数值模拟研究[D]. 董烨. 西南交通大学, 2019(03)
- [7]一种新型静电加速器输电系统的研究及其仿真分析[D]. 李强. 吉林大学, 2018(01)
- [8]KMAX装置中减速场分析仪研究和尘埃加速器系统的设计[D]. 霍昆. 中国科学技术大学, 2018(01)
- [9]强流高压加速器束流性能提升的研究[D]. 李麒成. 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所), 2016(08)
- [10]静电加速器控制系统的完善和质子的生物效应[D]. 张天鹏. 郑州大学, 2007(04)